CMOS器件抗靜電措施的研究
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高壓靜電場靠近CMOS器件時，例如人體帶來高壓靜電場而用手摸裝CMOS器件的塑料管雖然人體沒有觸及CMOS的柵極管腳，但是電場是可以穿越過去的，因為電場是絕緣不了的，它只能用金屬板或金屬盒子來屏蔽，所以這個高壓靜電場在CMOS柵極氧化層的一個面上感應(yīng)帶內(nèi)部電場，如果這個感應(yīng)電場的強度超過了CMOS柵極的擊穿電壓，則CMOS柵極同樣會被擊穿而失效的。
如果CMOS器件受到靜電損傷而產(chǎn)生失效，那么失效有兩種結(jié)果：
1)當(dāng)即損壞失效：
2)延遲失效，過幾個月或幾年后產(chǎn)生失效。
如果屬于當(dāng)即失效，進(jìn)行更換就能使整機工作正常，如果屬于延遲失效，這就麻煩大了，因為不知道何時失效，會給整機留下嚴(yán)重的隱患，但CMOS器件90％是延遲失效，這就對整機應(yīng)用的可靠性影響太大。因為延遲失效問題目前還沒有辦法把它篩選掉，所以只能采取各種防御措施。
2 在線路設(shè)計上采取抗靜電措施
為了提高印刷版以及整機的應(yīng)用可靠性，在線路設(shè)計上采取各種措施來保護(hù)CMOS器件避免受到靜電損傷，這些保護(hù)措施主要放在一個系統(tǒng)，一臺整機，或一塊制板上的“接口處”，即它們的輸入處和輸出處，因為這里最容易受到外界靜電的損傷。以下是各種方法：
1)增加限流電阻或泄放電阻的保護(hù)措施
增加限流電阻或泄放電阻的保護(hù)措施見圖2，在圖2中R1，R2及R5是限流電阻，對CMOS器件選0．2～10 kΩ左右，R3及R4及并聯(lián)的電容C1和C2對防靜電有好處。必須說明增加泄放電阻及電容后會影響輸入波形的，電容要小。本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/176960.htm
2)隔離保護(hù)措施
這里有幾種方案，把進(jìn)入CMOS輸入端的靜電用各種方法隔離或吸收。
①采用射極跟隨器的隔離保護(hù)如圖3所示。
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