圖3所示為集成解決方案的細(xì)節(jié)框圖，由于采用的是背對(duì)背的N-MOS結(jié)構(gòu)，通過(guò)第一個(gè)N-MOS（標(biāo)識(shí)1）的門(mén)極，可以防止浪涌電流進(jìn)入系統(tǒng)內(nèi)部，同時(shí)這個(gè)N-MOS也提供正向的過(guò)壓保護(hù)。

　　圖3 集成解決方案

　　圖4 安森美OVP產(chǎn)品系列

　　背對(duì)背N-MOS結(jié)構(gòu)的另一個(gè)N-MOS（標(biāo)識(shí)2）提供-28V的過(guò)壓保護(hù)。之前采用的一般是P-MOS，但相對(duì)于P-MOS，N-MOS的導(dǎo)通電阻更低，使電池能夠工作在更低電壓下。同時(shí)N-MOS支持更大的電流，而且這個(gè)N-MOS還通過(guò)檢測(cè)電流來(lái)控制反向通道的浪涌電流，提供反向過(guò)流保護(hù)。

　　此外，方案還應(yīng)提供過(guò)流保護(hù)（標(biāo)識(shí)3），并且過(guò)流保護(hù)的電流值可以通過(guò)外部電阻設(shè)定。同時(shí)集成方案還要提供狀態(tài)標(biāo)記引腳（標(biāo)識(shí)4）以及邏輯控制引腳（標(biāo)識(shí)5），并控制芯片的工作模式。