無(wú)抑制時(shí)的漏極電壓

　　圖1詳細(xì)列出了使用15V直流電源工作時(shí)，推挽式驅(qū)動(dòng)器的典型柵極驅(qū)動(dòng)電壓和漏極電壓波形。在推挽式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)互補(bǔ)MOSFET開(kāi)啟時(shí)，正常情況下漏極電壓會(huì)升至直流電源電壓的兩倍(或者本例中的30V)。然而，如圖1所示，尖峰電壓卻高達(dá)54V。在MOSFET關(guān)閉以及互補(bǔ)MOSFET開(kāi)啟時(shí)，n通道功率MOSFET的漏極也會(huì)出現(xiàn)尖峰電壓。

圖1. 無(wú)緩沖電路時(shí)的漏極電壓

可抑制漏極尖峰電壓的電路及設(shè)計(jì)

　　可以通過(guò)為每個(gè)漏極添加簡(jiǎn)單的RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)抑制尖峰電壓，如圖2所示。合適的電阻(R)和電容(C)值可由如下過(guò)程確定。在闡述該過(guò)程之后，將有一個(gè)實(shí)例演示如何降低圖1所示的尖峰電壓。

圖2. 推挽驅(qū)動(dòng)器的漏極緩沖電路

確定合適的緩沖電路RC值：

1. 測(cè)量尖峰諧振頻率。見(jiàn)圖3所示實(shí)例。
2. 在MOSFET的漏極和源極上并聯(lián)一個(gè)電容(無(wú)電阻，僅電容)，調(diào)整電容值，直到尖峰諧振頻率降低到原來(lái)的二分之一。此時(shí)，該電容值為產(chǎn)生尖峰電壓的寄生電容值的三倍。

3. 因?yàn)榧纳娙葜狄阎?，寄生電感值可用如下等式求得?/p>

   L = 1 / [(2F)² x C]，其中，F(xiàn)＝諧振頻率，C = 寄生電容值

4. 現(xiàn)在，寄生電容和電感值都已知，諧振回路的特征阻抗可由如下等式求得：

   Z = SQRT(L/C)，其中，L = 寄生電感值，C = 寄生電容值

5. RC緩沖電路中的電阻值應(yīng)該接近特征阻抗，電容值應(yīng)該是寄生電容值的四到十倍。使用更大的電容可以輕微降低電壓過(guò)沖，但要以更多的功率耗散和更低的逆變效率為代價(jià)。

計(jì)算RC緩沖器元件值

在這部分，使用前面提到的五個(gè)步驟，可以計(jì)算出組成緩沖電路、用來(lái)降低圖1中尖峰電壓的適當(dāng)電阻電容值。

1. 找出諧振尖峰電壓的頻率。圖3顯示出它大約為35MHz。

   
   圖3. 無(wú)緩沖電路的諧振尖峰電壓的頻率

2. 在漏極和地線之間并聯(lián)一個(gè)電容，以將諧振頻率降至大約一半(17.5MHz)。如圖4所示，330pF的并聯(lián)電容即可將諧振頻率降低至大約17.5MHz。最佳電容值可以通過(guò)嘗試并聯(lián)不同容量的電容來(lái)確定。最好從小容量電容開(kāi)始(比如100pF)，然后逐漸增大。

   因?yàn)?30pF的并聯(lián)電容即可將諧振頻率降至原來(lái)的二分之一，寄生電容值應(yīng)該是其三分之一(大約110pF)。

   
   圖4. 提供330pF并聯(lián)電容時(shí)的諧振尖峰電壓頻率

3. 計(jì)算寄生電感值。

   寄生電感 = L = 1 / [(2 x 3.14 x 35MHz)² * 110pF] = 0.188µH

4. 計(jì)算特征阻抗。

   特征阻抗 = Z = SQRT (0.188µH / 110pF) = 41

5. 選擇適當(dāng)?shù)碾娮韬碗娙葜?。緩沖電路中的電阻值R應(yīng)該接近41，而電容值C應(yīng)該在寄生電容110pF的四到十倍之間。在本例中，我們選擇電容C為1000pF，大約為寄生電容值的九倍。

   圖5顯示了加入由39電阻及1000pF電容組成的緩沖電路后的結(jié)果。

   
   圖5. 加入RC緩沖電路(39, 1000pF)后的漏極電壓

   結(jié)論

　　本應(yīng)用筆記說(shuō)明，通過(guò)一些簡(jiǎn)單的經(jīng)驗(yàn)測(cè)量，即可確定推挽式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)中阻容緩沖電路的適當(dāng)值。該緩沖電路可以大大降低功率MOSFET漏極不期望出現(xiàn)的尖峰電壓。