新內(nèi)存芯片材料實現(xiàn)速度高于閃存千倍 —— 作者： 時間：2006-12-13 來源： 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 北京時間12月12日消息，據(jù)國外媒體報道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇夢達(dá)(Qimonda)等企業(yè)組成的研發(fā)團(tuán)隊近日表示，已開發(fā)出能制造高速“相變(phase-change)”內(nèi)存的材料；與當(dāng)前常用的閃存相比，相變內(nèi)存運行速度高于前者500~1000倍，能耗也將大幅度降低。 據(jù)悉該新型材料為復(fù)合半導(dǎo)體合金。IBM納米科學(xué)部門資深經(jīng)理斯派克
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