在圖1a齊納二極管ZD1防止第一季度柵源路口不超過其最高評級。 (請注意，在圖1a(± 20V的)太小，承受24V的工業(yè)或48V的電信應(yīng)用。)如果電源循環(huán)迅速VGS電壓最高，負載電容可以出院，而C1的收費仍足以維持在第一季度。這個條件可以減少電流限制功能，允許大電流浪涌電源時恢復(fù)。還有另一個電容齊納場效應(yīng)管的拓撲的缺點：目前的限制是積極的，只有在電且僅當(dāng)C1是出院。一旦斷電，電路不能防止過流和短路條件。阿保險絲通常雇用的目的。

　　PNP晶體管和電流檢測電阻

　　另一個熱插拔應(yīng)用(圖2a和2b)電路使用一個PNP晶體管(Q1)和一個電流檢測電阻(R1)，以提供連續(xù)電流感應(yīng)和限制。由于權(quán)力是通過應(yīng)用，電流流R1和第二季度的負載。電流通過R1 VBE中創(chuàng)造了第一季度的偏置電壓。如果電流足夠大，以第一季度的偏見，然后通過限制第一季度第二季度到負載傳導(dǎo)通過降低柵源電壓的第二季度。請注意，齊納二極管可在第二季度的柵源交界的圖1a()，以防止對第二季度和第一季度的VCE過電壓擊穿的補充。

　　圖2a。另一個熱插拔電路實現(xiàn)電流感應(yīng)及2A與PNP晶體管(第一季)限制。這說明了開啟在圖2b波形。

　　圖2b。 CH1為電流; CH2的是第二季度柵極電壓。

　　此電路的優(yōu)點，與圖1a是，目前的限制是始終啟用。這種積極的功能附帶了一個缺點：與負載系列R1的增加功耗。此外，電流限制可以更改高達± 20的Q1的VBE中在溫度變化范圍為-40 ° C至+85 ° C的后果%在圖1a(在圖2a，如果將齊納二極管)應(yīng)足夠小，以保護晶體管，但足以讓場效應(yīng)管其身份證在最低范圍內(nèi)充分傳導(dǎo)的RDS(ON)。

　　優(yōu)勢熱插拔電路

　　集成電路為基礎(chǔ)的熱交換電路提供小型封裝許多功能，他們需要很少的外部元件。圖3a，例如，顯示了低電壓熱插拔應(yīng)用程序，只需要一個電流檢測電阻(R1)和2.7之間的一系列通元操作(第一季度)至13.2V。該電路提供浪涌電流限制(圖3b)和雙過電流故障保護，而從高振幅電路故障和一個低振幅反應(yīng)遲緩MAX4370組成快速反應(yīng)，破壞性的過電流條件。

　　圖3a。一個IC的熱插拔電路使用MAX4370提供了更好的準(zhǔn)確性和使用的幾部分

　　圖3b。請注意在該啟動波形范圍陰謀ILOAD限制。數(shù)據(jù)生成與MAX4370熱插拔控制器。