降額設(shè)計

　　因電子產(chǎn)品的可靠性對電應(yīng)力和溫度應(yīng)力較敏感，故而降額設(shè)計技術(shù)對電子產(chǎn)品則顯得尤為重要，成為可靠性設(shè)計中必不可少的組成部分。按照GJBZ35-93的要求，航天器所用元器件的所有參數(shù)必須實施Ⅰ級降額。

　　DC/DC變換器中所用元器件種類較多，有阻容器件、大功率半導體器件、電感器件、繼電器、保險絲等，針對不同器件要分析需要降額的所有參數(shù)，且要綜合考慮。而且，對同一器件不同參數(shù)做降額時要考慮參數(shù)之間的相互影響，即一個參數(shù)作調(diào)整時往往會帶

　　來其他工作參數(shù)的變化。對半導體器件，即使是各參數(shù)均降額了，最終還要歸結(jié)到結(jié)溫是否滿足降額要求。

　　降額設(shè)計要建立在對電路工作狀態(tài)認真分析的基礎(chǔ)上，確認達到預期效果。例如，對電容器額定電壓的降額，由于器件特性的差異（如漏電流、RSE等)，簡單串聯(lián)后并不能完全滿足降額要求。

　　熱設(shè)計

　　產(chǎn)品研制經(jīng)驗告訴我們，熱應(yīng)力對電源可靠性的影響往往不亞于電應(yīng)力。電源內(nèi)部功率器件的局部過熱，包括輸出整流管的發(fā)熱，很可能導致失效現(xiàn)象發(fā)生。當溫度超過一定值時，失效率呈指數(shù)規(guī)律增加，當達到極限值時將導致元器件失效。國外統(tǒng)計資料指出，溫度每升高2℃，電子元器件的可靠性下降10％，器件溫升50℃時的壽命只有溫升25℃時的1/6，足見熱設(shè)計的必要性。電源熱設(shè)計的原則有兩個：一是提高功率變換效率，選用導通壓降小的元器件簡化電路，減少發(fā)熱源。二是實施熱轉(zhuǎn)移和熱平衡措施，防止和杜絕局部發(fā)熱現(xiàn)象。

　　由于衛(wèi)星所處空間環(huán)境的影響，散熱方式只有輻射和傳導，且由于安裝位置的影響，DC/DC變換器一般主要通過傳導進行散熱，也就是通過機殼安裝面，將DC/DC變換器產(chǎn)生的熱量經(jīng)設(shè)備結(jié)構(gòu)傳導到設(shè)備殼體，再由設(shè)備安裝面?zhèn)鲗У叫l(wèi)星殼體，由整星進行溫控。

　　1 MOSFET熱耗控制

　　MOSFET的熱耗主要來自導通損耗、開關(guān)損耗兩部分。導通損耗是由于MOSFET的導通電阻產(chǎn)生的，開關(guān)損耗是由MOSFET的開啟和關(guān)斷特性產(chǎn)生的，而MOSFET的開啟和關(guān)斷特性取決于MOSFET的器件參數(shù)（如輸入電容）、驅(qū)動波形、工作頻率、電路寄生參數(shù)等因素。

　　開關(guān)損耗的控制主要有以下幾點。

　　①針對不同的MOSFET設(shè)計各自的柵極驅(qū)動，加速MOSFET的開啟和關(guān)斷。另外，通過驅(qū)動加速電容，使得驅(qū)動波形的上升沿時間縮短。

　?、诰C合考慮設(shè)計合理的工作頻率。

　?、弁ㄟ^變壓器繞制工藝設(shè)計，控制變壓器的漏感，進而減小MOSFET的漏源極電壓尖峰。如反激型變壓器設(shè)計就采用“三明治”式繞法，即初級繞組先繞一半，再繞次級繞組，繞后再將初級繞組剩余的匝數(shù)繞完，最后將次級繞組包裹在里面，這樣漏感最?。ㄒ妶D5）。

　　圖5 反激型變壓器的繞制示意

　　④通過吸收電路的設(shè)計，進一步控制由于變壓器漏感引起的MOSFET漏源極電壓尖峰。設(shè)計原則是吸收電路的自身損耗較小且盡可能有效地控制電壓尖峰。