利用Boost電路實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)的原理是使輸入電流跟隨輸入電壓，并獲得期望的輸出電壓。因此，控制電路所需的參量包括即時(shí)輸入電壓、輸入電流及輸出電壓。乘法器連接輸入電流控制部分和輸出電壓控制部分，輸出正弦信號(hào)。當(dāng)輸出電壓偏離期望值，如輸出電壓跌落時(shí)，電壓控制環(huán)節(jié)的輸出電壓增加，使乘法器的輸出也相應(yīng)增加，從而使輸入電流有效值也相應(yīng)增加，以提供足夠的能量。在此類控制模型中，輸入電流的有效值由輸出電壓控制環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)調(diào)制，而輸入電流控制環(huán)節(jié)使輸入電流保持正弦規(guī)律變化，從而跟蹤輸入電壓。本文在基于此類控制模型下，采用ST公司的L6562作為控制芯片，給出了Boost-APFC電路的設(shè)計(jì)方法。
L6562的引腳功能如下：
INV：該引腳為電壓誤差放大器的反相輸入端和輸出電壓過壓保護(hù)輸入端；
COMP：該引腳同時(shí)為電壓誤差放大器的輸出端和芯片內(nèi)部乘法器的一個(gè)輸人端。反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)接在該引腳與引腳INV之間；
MULT：該引腳為芯片內(nèi)部乘法器的另一輸入端；
CS：該腳為芯片內(nèi)部PWM比較器的反相輸入端，可通過電阻R6來檢測MOS管電流；
ZCD：該腳為電感電流過零檢測端，可通過一限流電阻接于Boost電感的副邊繞組。R7的選取應(yīng)保證流入ZCD引腳的電流不超過3 mA；
GND：該引腳為芯片地，芯片所有信號(hào)都以該引腳為參考，該引腳直接與主電路地相連；GD：為MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出引腳。為避免MOS管驅(qū)動(dòng)信號(hào)震蕩，一般在GD引腳與MOS管的柵極之間連接一十幾歐姆到幾十歐姆的電阻，電阻的大小由實(shí)際電路決定；
VCC：芯片電源引腳。該引腳同時(shí)連接于啟動(dòng)電路和電源電路。
另外，在電路設(shè)計(jì)時(shí)，穩(wěn)壓管D2應(yīng)選用15 V穩(wěn)壓管，電容C2應(yīng)選用10μF的電解電容；二極管D5應(yīng)選用快恢復(fù)二極管(如1N4148)；電阻R3應(yīng)選用幾百千歐的電阻。
圖5給出了由L6562構(gòu)成的APFC電源的實(shí)際電路圖。圖中，輸入交流電經(jīng)整流橋整流后變換為脈動(dòng)直流，作為Boost電路的輸入；電容C4用以濾除電感電流中的高頻信號(hào)，降低輸入電流的諧波含量；電阻R1和R2構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò)，用以確定輸入電壓的波形與相位，電容C10用以慮除3號(hào)引腳的高頻干擾信號(hào)；Boost電感L的一個(gè)副邊繞組，一方面通過電阻R7將電感電流過零信號(hào)傳遞到芯片的5腳，另一方面作為芯片正常工作時(shí)的電源；芯片驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過電阻R8和R9連到MOS管的門極；電阻R11作為電感電流檢測電阻，用以采樣電感電流的上升沿(MOS管電流)，該電阻一端接于系統(tǒng)地，另一端同時(shí)接在MOS管的源極，同時(shí)經(jīng)電阻R10接至芯片的4腳；電阻R5和R6構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)形成輸出電壓的負(fù)反饋回路；電容C9連接于芯片1、2腳之間，以組成電壓環(huán)的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)；電阻R4，電容C6，二極管D5，穩(wěn)壓管D6和Boost電感的副邊則共同構(gòu)成芯片電源。