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          同時(shí)滿足能源之星和EMI要求的高效率充電適配器設(shè)計(jì)解決方案

          作者: 時(shí)間:2009-05-21 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          T1內(nèi)的抽頭次級(jí)繞組5-3-2-NC具有三種功能。繞組2-5可通過(guò)二極管D6向U1提供低壓電源。從低壓次級(jí)側(cè)獲取功率,而不是在初級(jí)側(cè)降低電壓,這樣可以使電源在230VAC時(shí)空載功耗不超過(guò)50mW。

          繞組2-3可向U1的反饋(FB)輸入提供反饋信號(hào)。這個(gè)控制引腳可以根據(jù)偏置繞組的反激電壓來(lái)調(diào)節(jié)恒壓模式下的輸出電壓和恒流模式下的輸出電流。采用這種后,不僅可以省去輸出路徑中的檢測(cè)電阻,還可以省去一個(gè)光耦器和次級(jí)控制電路,從而大幅簡(jiǎn)化電源。這種控制技術(shù)還能夠自動(dòng)補(bǔ)償變壓器電感容差和內(nèi)部參數(shù)容差隨輸入電壓的變化。

          變壓器次級(jí)中的最后一個(gè)元素是繞組2-NC。這一是PI的E-ShieldTM技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。此舉可以改善裕量,省去銅箔屏蔽層。

          另一個(gè)需要考慮的關(guān)鍵元件是整流二極管D7。該二極管的性能對(duì)效率有重要影響,因?yàn)樗獋魉驼麄€(gè)DC負(fù)載電流。二極管將要承受的峰值反向電壓由初級(jí)開(kāi)關(guān)元件的額定電壓來(lái)決定。其他同類設(shè)計(jì)方案使用額定峰值電壓為600V的開(kāi)關(guān),這些使用低反射輸出電壓(VOR),并且D7必須選用60V肖特基二極管。LinkSwitch-II中集成的MOSFET能夠維持700V的電壓,使VOR取較高值。這樣可以降低D7上的應(yīng)力,從而能選用40V肖特基二極管。40V肖特基二極管不僅成本低廉,而且在2A時(shí)的正向?qū)▔航抵挥?.5V,而60V肖特基二極管的正向?qū)▔航禐?.7V。這樣可減少0.4W的峰值功耗,將效率提高5%。

          采用700V MOSFET的另一個(gè)好處是,電路可以承受交流380V輸入電壓,這樣設(shè)計(jì)的器可以在交流供電電壓差別很大的國(guó)家(如印度、俄羅斯、中國(guó)等)始終可靠工作。

          需考慮的最后一個(gè)關(guān)鍵要素是控制。根據(jù)國(guó)際上的兩大能效規(guī)范(EN 55022和CISPR 22 Class B),產(chǎn)品必須符合標(biāo)準(zhǔn)。電路設(shè)計(jì)自身必須產(chǎn)生較低的EMI。為不良設(shè)計(jì)添加抑制元件是我們所不提倡的,因?yàn)檫@樣會(huì)增加成本、占用空間和吸收更多的功率??上驳氖?,LinkSwitch-II器件集成了多個(gè)可降低EMI的有用功能。振蕩器集成有頻率調(diào)制功能,可以擴(kuò)展頻譜。電源在最高80kHz下工作時(shí),峰值初級(jí)電流會(huì)低于最高頻率為45kHz的設(shè)計(jì),這樣可以增加差模EMI裕量。這些功能以及E-Shield技術(shù),大大簡(jiǎn)化了所需EMI抑制元件的設(shè)計(jì),只需采用一些扼流圈、電阻和電容。

          如圖2所示,電路多個(gè)部分采取了防傳導(dǎo)及輻射EMI設(shè)計(jì)。在AC輸入部分,電感L1和L2以及電容C1和C2組成一個(gè)π型濾波器,對(duì)差模傳導(dǎo)EMI噪聲進(jìn)行衰減。D5、R3、R4和C3組成RCD-R箝位電路,用于限制漏感引起的漏極電壓尖峰。電阻R4的值較大,用于避免漏感引起的漏極電壓波形振蕩。C6和R8用來(lái)限制D7上的瞬態(tài)電壓尖峰,并降低傳導(dǎo)及輻射EMI。這些元件可以使電源擁有10dB以上的裕量,輕松EN 55022和CISPR 22 Class B標(biāo)準(zhǔn)。

          同時(shí)滿足能源之星和EMI要求的高效率充電適配器設(shè)計(jì)解決方案

          圖4為采用PI器件設(shè)計(jì)的電源電路樣品,只需為數(shù)不多的元件即可設(shè)計(jì)出這種器/,并且完全EMI、安全性及耐用度等。

          本設(shè)計(jì)所取得的效率要比之星EPS 2.0版規(guī)范的5W電源效率高6%,但相比之下,低于50mW的超低空載功耗也許更加意義非凡。假設(shè)器在充完電后長(zhǎng)期插在插座上,那么與之星EPS 2.0版規(guī)范的要求相比,這種超低空載功耗在總能量節(jié)省中的貢獻(xiàn)率可以達(dá)到90%以上。

          在5V/1,000mA電源設(shè)計(jì)中,Power Integrations向我們展示了設(shè)計(jì)師如何做才能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出公認(rèn)的最低能效要求,同時(shí)使產(chǎn)品既具成本優(yōu)勢(shì)又易于制造。

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