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          同時滿足能源之星和EMI要求的高效率充電適配器設(shè)計解決方案

          作者: 時間:2009-05-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          由iPhone所引領(lǐng)的新一代手機與前代手機相比,其功能更為豐富。這些全功能手機如今已成為消費者的必備用品,它們的最大特點是具有大屏幕、能夠上網(wǎng)、支持GPS并自帶多媒體播放器,而所有這些基本功能都離不開電源。手機用戶通常在電池電量快用完時才開始,因此他們特別希望手機器具備快速能力。此外,手機充電器在充完電后往往會繼續(xù)插在插座上,因此充電器除了能以提供高充電電流外,還必須在未拔下時(空載條件下)消耗盡可能少的電能。若要出一款既能上述條件、對制造商而言經(jīng)濟可行,又能符合所有的電源,必須同時考慮到諸多因素。

          充電器和外部電源所消耗的總電量在住宅總用電量中占有很大的比重,這個問題已經(jīng)引起了世界上各監(jiān)管的注意。許多國家的全國性標準都是參照美國的之星規(guī)范建立起來的。之星外部電源2.0版(Energy Star EPSV2.0)規(guī)范根據(jù)輸出功率的不同為的效率設(shè)定了滑動標準。對于5W充電器而言,其效率必須高于68%。這一限值可并非易事,這將會使如今市場上的大部分充電器被迫重新,或者停止銷售。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/181391.htm

          手機制造商們也主張?zhí)岣吣苄?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/要求">要求,因為降低能耗可以作為衡量企業(yè)勇于承擔社會責任和吸引有環(huán)保意識的消費者的一種手段。在2008年年底,世界五大手機制造商(諾基亞、三星、索尼愛立信、摩托羅拉和LG)聯(lián)合制定了手機充電器星級分級制度。為達到嚴格的五星級標準,充電器在空載模式下的功耗將不得超過0.03W(30mW),這一數(shù)字僅為當前正在實施的之星EPS規(guī)范2.0版所規(guī)定限值的十分之一。

          Power Integrations(PI)作為集成電路生產(chǎn)商,致力于幫助電源師達到這些嚴格的規(guī)范要求。該公司開發(fā)出了一款5V 5W反激式充電器/電路(詳見《參考設(shè)計DI-158》),其整個負載范圍內(nèi)的平均效率可達74%,比能源之星EPS 2.0版的要求高出6%。圖1為能源之星對59款不同型號的外部電源進行測試的結(jié)果。無需增加設(shè)計復雜度,DI-158便可獲得極高的性能,并能在生產(chǎn)環(huán)境中重復制造。

          同時滿足能源之星和EMI要求的高效率充電適配器設(shè)計解決方案

          圖2是一款5W通用輸入恒壓/恒流(CV/CC)充電器/的電路設(shè)計圖。本設(shè)計適用于手機電池充電器、USB充電器或任何有恒壓/恒流特性要求的應用。該電路可為最高1A的負載提供5V恒流輸出,精度為±5%。當需要更大負載時,電源將進入恒流模式,輸出電壓降低,使輸出電流維持在1A±10%。

          圖2: 5W CV/CC通用輸入充電器電源電路圖。
          圖2: 5W CV/CC通用輸入充電器電源電路圖。

          這個電源電路是采用PI的LinkSwitch-II系列產(chǎn)品LNK616PG(U1)而設(shè)計的反激式電源。它不是傳統(tǒng)的PWM控制器,而是采用開/關(guān)控制來維持恒壓(CV)階段的穩(wěn)壓。它通過跳過開關(guān)周期來維持輸出功率水平,并通過調(diào)節(jié)使能與禁止開關(guān)周期的比值和初級限流點來維持穩(wěn)壓。這種控制方法在充電器設(shè)計中具有諸多獨特優(yōu)勢。隨著負載電流的增大,電流限流點也將升高,跳過的周期也越來越少,達到最大輸出功率點時將不再跳過任何開關(guān)周期。當需要進一步提高功率時,輸出電壓會隨之下降??刂破鳈z測到壓降后進入恒流模式。 在此模式下,隨著電流需求的增大,開關(guān)頻率將下降,從而實現(xiàn)線性恒流(CC)輸出。圖3給出了該電路的電流及電壓性能。

          同時滿足能源之星和EMI要求的高效率充電適配器設(shè)計解決方案

          本設(shè)計中有幾大要素可以實現(xiàn)和低成本。變壓器T1是其中的一個關(guān)鍵要素,其設(shè)計主要由U1中開關(guān)元件的性能來決定。LinkSwitch-II器件集成了700V功率MOSFET用作主要開關(guān)元件,這樣可以使工作頻率高達85kHz,幾乎是具有競爭性的BJT設(shè)計最高工作頻率45kHz的兩倍。頻率越高,就越容易減小變壓器尺寸及其層數(shù),從而降低變壓器中的電容開關(guān)損耗。為降低變壓器可能會產(chǎn)生的音頻噪音,控制最大磁通密度非常必要。在每個周期開始時,U1中的MOSFET導通,流經(jīng)T1初級繞組的電流則增大至LinkSwitch-II控制電路所允許的最大值。達到此值后,MOSFET關(guān)斷,儲存在T1中的能量會在磁場下降時轉(zhuǎn)移至次級繞組。輕載條件下,初級限流點下降,從而降低變壓器磁通密度。通過限流點控制、調(diào)整使能與禁止開關(guān)周期的比值并根據(jù)輸出負載情況減低開關(guān)損耗,可以優(yōu)化在整個負載范圍內(nèi)的效率。

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