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          Intel深耕低功耗CPU設計

          作者:歐敏銓 時間:2008-05-02 來源:CTIMES 收藏

          對于手持式設備來說,設計上的四大主要考慮,即是功能/效能、尺寸、成本與功耗,而由于這類產(chǎn)品往往由電池來供電,在電力的限制下,功耗狀況就與電池的使用壽命直接相關,若能提供比同類產(chǎn)品更長的使用時間,市場的接受度當然愈高。以有名的iPod nano為例,它使用的是只有1.2瓦小時的電池,但因做到音樂播放只需85mW的功耗,所以能夠連續(xù)播放14小時的音樂,難怪會這么受到市場的歡迎。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/182520.htm

          對于筆記本電腦來說,在運作時,一個組件就可以占了整體系統(tǒng)近一半的功耗,并產(chǎn)生大量的熱量,因此降低的功耗與散熱就成了比提升效能更重要的課題。在2004年宣布轉(zhuǎn)向擁抱多核心架構,主要的原因也是為了解決其不斷升高的功耗問題,而這個發(fā)展途徑也讓在近幾年中持續(xù)維持其計算機的霸主地位。

          降低功耗是一門牽涉極廣的技術,解決的途徑包括制程技術(如low-k)、電路閘控設計(如Clock Gating、Power Gating)、系統(tǒng)架構(硬件/軟件配置算法)和軟件管理(如Power-aware操作系統(tǒng)、休眠模式和更有效的內(nèi)存接取方式)等。以新一代的Penryn CPU為例,就采用了上述的各種改善途徑。

          采用45奈米制程的Penryn,其晶體管密度比上一代65奈米Merom CPU提升了近兩倍,此舉有助于大幅降低晶體管開關動作所需的電力,耗電量可減少約三成。此外,Penryn還采用low-k介電質(zhì)的內(nèi)部連接線來加速關關動作,并采用high-k材料來制作晶體管閘極電介質(zhì),以因應高階制程中愈來愈嚴重的靜態(tài)漏電功耗。

          在電源管理的作法上,透過DPM(Dynamic Power Management)和DVFS(Dynamic Voltage and Frequency Scaling)兩項技術,有助于進一步改善組件及系統(tǒng)的功耗表現(xiàn)。其中DPM指的是控制不工作單元的休眠狀態(tài),DVFS則是在運作中,依工作狀況調(diào)整電壓及頻率的供電狀況,是更為先進的功耗管理技巧。

          以計算機系統(tǒng)的電源管理來說,有所謂的ACPI規(guī)范,其中C0到C3為處理器的電源節(jié)能狀態(tài)。CPU廠商在此架構下,又發(fā)展出自己的管理技術,例如Intel在Merom世代時即已提出的C4e(Enhanced Deeper Sleep)模式;最新的Penryn處理器中則進一步提出C6(Deep Power Down)模式,其中C6模式所需電壓將比C4e再降低一半,且L1快取也會進入關閉狀態(tài),讓處理器功耗能再減少超過75%。不過,有利也有弊,從C6模式返回正常運作狀態(tài)所需的時間也比C4e多出約50%。

          預計在五月上市的新一代Penryn系列,其常規(guī)款式CPU可做到低于35W的功耗,其中主流處理器的TDP從目前的35W降到只有25W,小型化封裝處理器更可以達到10W、甚至更低的功耗。這對于Notebook來說算是不錯的表現(xiàn),但若是用在更小型化的MID或UMPC中,仍有很大的改善空間。

          本文由 CTIMES 同意轉(zhuǎn)載,原文鏈接:http://www.ctimes.com.tw/DispCols/cn/0805021404R7.shtmll



          關鍵詞: Intel CPU

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