眾所周知，晶體管要分成多種類型。其中，MOSFET作為基礎(chǔ)器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應(yīng)用。但是目前使用的場效應(yīng)管存在兩個(gè)被學(xué)術(shù)界稱為PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。正常工作時(shí)源極和襯底間的PN結(jié)始終處于正向?qū)顟B(tài)，所以在一般情況下，場效應(yīng)管的源極和襯底是連接在一起的，由此源極和襯底間的PN結(jié)并沒有在電路中起作用。

　　據(jù)相關(guān)研究人員介紹，他們在集成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件。

　　他們據(jù)此提出了一項(xiàng)專利申請，制造一種只有一個(gè)PN結(jié)的場效應(yīng)管，能夠完全取代現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)管、簡化場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、降低成本并提高集成度。

　　相關(guān)研究人員表示，“單PN結(jié)場效應(yīng)管只需改變相應(yīng)設(shè)計(jì)，完全能夠在現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)的CMOS生產(chǎn)線上成功制造出來，希望能夠有設(shè)計(jì)和制造伙伴與我們進(jìn)行對接，盡快向產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)。”