為了驗(yàn)證直流儲(chǔ)能電容對(duì)差模干擾的抑制作用和效果，根據(jù)系統(tǒng)工況，制作了分壓網(wǎng)絡(luò)(R=1 kΩ，C=2 nF)，并結(jié)合單相干擾分離網(wǎng)絡(luò)，對(duì)直流電容兩側(cè)的差模干擾進(jìn)行了測(cè)試，實(shí)驗(yàn)布置如圖4所示，其中1，2為直流電容前端接線點(diǎn)，3，4為后端接線點(diǎn)。

圖5示出實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果。

其中iDM5，iDM6分別為逆變橋輸入端和整流橋輸出端的差模電流。可知，在1～4 MHz頻段上，直流電容前端的差模干擾明顯比后端小，f=3 MHz處，iDM5為63．5 dBμA，iDM6為52．4 dBμA，兩者差值達(dá)到了-11．1 dBμA。這說(shuō)明直流電容對(duì)差模干擾確實(shí)有一定的抑制作用。根據(jù)以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果，在PWM系統(tǒng)中的差模干擾分布可總結(jié)如下：①電網(wǎng)側(cè)差模干擾：低頻段由整流橋主導(dǎo)，中間頻段由整流橋和逆變橋共同主導(dǎo)，高頻段由逆變橋主導(dǎo)；②負(fù)載側(cè)差模干擾主要由逆變橋產(chǎn)生。

4 模型研究

通過(guò)上述實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象對(duì)比，得出了差模干擾分布的結(jié)論。下面根據(jù)實(shí)驗(yàn)，對(duì)差模干擾分布主要影響因素進(jìn)行了簡(jiǎn)要研究。圖6為系統(tǒng)差模干擾基本模型，其中u1，u2為整流橋和逆變橋的差模干擾源；Z1為電網(wǎng)側(cè)差模阻抗，包含輸入線上的高頻電感和電阻以及LISN差模阻抗；Z2為負(fù)載側(cè)的差模等效阻抗，包含輸出線上的高頻電感和電阻，以及電機(jī)繞組的差模等效阻抗；Cd為整流橋和逆變橋中間的直流儲(chǔ)能電解電容。

在EMI分析中，可只考慮其干擾最大的情況，故此處分析不考慮相位信息。由電路原理可得：

式中：iZ1，iZ2為流過(guò)電網(wǎng)、負(fù)載側(cè)的差模電流；ZCd為Cd阻抗。

由系統(tǒng)各項(xiàng)參數(shù)和式(1)可得系統(tǒng)差模干擾及其分布情況。但在實(shí)際系統(tǒng)中，ZCd已經(jīng)很小了，很難改變。故只有從Z1，Z2入手，來(lái)抑制差模干擾。目前對(duì)差模干擾的抑制，一般是加差模電容或差模電感。下面對(duì)比分析在電網(wǎng)側(cè)、負(fù)載側(cè)加差模電感和差模電容的效果。

假設(shè)加在LISN側(cè)串聯(lián)電感使得Z1增大為Z1+20 dB，并聯(lián)電容使得Z1減小為Z1-20 dB。圖7為改變Z1后，對(duì)整流橋和逆變橋在電網(wǎng)側(cè)差模干擾的影響(Z1不變時(shí)電網(wǎng)側(cè)差模干擾為0dB)。