另外，文中結構采用電阻自偏壓技術，偏置由有源晶體管器件自身柵源極形成壓差作為負壓源，電壓值為-Vd，即Rd兩端電壓Vd的負值。源極串聯(lián)的電阻Rd引入了噪聲并導致增益下降，在電阻兩端接入一個旁路電容Cd，使射頻信號直接通過電容耦合到地而避免能量衰減。這種結構實現(xiàn)了單電源供電，與常見的雙電源供電方式相比，不需要為防止柵極受損、漏極過流而損壞，專門設計能保證負壓先、正壓后供電順序的特定電源電路，有效簡化了偏置網(wǎng)絡，減少了系統(tǒng)設計的難度。

2 仿真分析
文中基于微波仿真軟件AWR Microwave Office，對放大器電路偏置工作點、穩(wěn)定性、噪聲系數(shù)以及S參數(shù)進行了仿真，并對仿真結果進行了分析。
2．1 偏置點選取
偏置電路給場效應管提供一個直流工作點，直流工作點影響著最小噪聲系數(shù)與最大穩(wěn)定增益。設計中放大器三級晶體管均選用柵長為0．15μm、柵寬尺寸為4×50μm的PHEMT晶體管。對晶體管的直流工作點進行掃描，管芯的I-V特性曲線和最小噪聲系數(shù)(NFmin)、最大穩(wěn)定增益MSG隨VGS變化的曲線如圖4和圖5所示。

從圖4和圖5可以看出，當VDS=2 V時，KGS為一0．3 V處的最小噪聲系數(shù)僅比最低點高0．02 dB，此時最大穩(wěn)定增益比最高點低1 dB。第一、二級放大器選取此工作點能夠兼顧噪聲系數(shù)與增益的要求，第三級考慮到放大器的線性輸出功率，選取偏置點為最大飽和漏極電流Idss的50％左右。最終實現(xiàn)5 V單電源供電下，直流供電電流為38 mA。三級PHEMT晶體管各級偏置如表1所示。