2013年11月14日，富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司宣布，推出全新具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片---MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝并且與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM兼容，因此能夠應(yīng)用在工業(yè)控制、辦公自動(dòng)化設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及其他設(shè)備中，取代原有具備高速數(shù)據(jù)寫入功能的SRAM。此產(chǎn)品從2014年1月起開始為客戶提供樣品。

　　FRAM具備非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存功能，即使在電源中斷的狀況下仍能保護(hù)數(shù)據(jù)，隨機(jī)存取功能則能高速寫入數(shù)據(jù)。如果在寫入數(shù)據(jù)時(shí)遭遇電源臨時(shí)中斷或是停電，FRAM仍能夠安全地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，因此即使在電源中斷時(shí)FRAM還是能夠立即儲(chǔ)存參數(shù)信息并實(shí)時(shí)記錄設(shè)備上的數(shù)據(jù)。

　　另外，MB85R4M2T無(wú)須任何電池即可持續(xù)地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，因此有助于發(fā)展更小型、更省電的硬件設(shè)備，且能降低總成本。其優(yōu)勢(shì)包括：

　　1. 減少電路板面積

　　MB85R4M2T不需要通過(guò)電池儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，因此能減少50%以上產(chǎn)品中所使用PCB板的內(nèi)存與相關(guān)零件的電路板面積。

　　2. 降低功耗

　　在主電源關(guān)閉的情況下，SRAM將數(shù)據(jù)保存在內(nèi)存，其需要消耗約15 µW/秒的電流以保存資料。由于FRAM為非揮發(fā)性內(nèi)存，在電力關(guān)閉情況下不會(huì)耗費(fèi)任何電力。

　　3. 降低總成本

　　移除電池不僅降低零件成本，也免除了所有電池更換或維修相關(guān)的周期性成本，能大幅減低開發(fā)及營(yíng)運(yùn)的總成本。