無(wú)源器件的電測(cè)量通常遵循以下簡(jiǎn)單流程：通過(guò)某種方式對(duì)樣品進(jìn)行激勵(lì)，并測(cè)量其對(duì)激勵(lì)的響應(yīng)。這種方法也可用于測(cè)量具有無(wú)源和有源特性的器件。通過(guò)適當(dāng)?shù)?a class="contentlabel" href="http://cafeforensic.com/news/listbylabel/label/方法">方法，源-測(cè)量(source-measurement)算法可以用于表征能量源。燃料電池和電池的阻抗譜(impedance spectroscopy)就是這類(lèi)測(cè)量的實(shí)例。

對(duì)納米微粒(nanoscopic particle)來(lái)說(shuō)，這種通用的源-測(cè)量測(cè)試方法可以定量測(cè)量阻抗、電導(dǎo)和電阻，這些測(cè)量值揭示材料的關(guān)鍵性能。即便材料最終并非應(yīng)用于電路，這種測(cè)量方法仍然適用。

需要注意的問(wèn)題

測(cè)量納米微粒需要重點(diǎn)注意以下情況：

1. 納米微粒無(wú)法承受宏觀器件負(fù)載的電流值(除非是超導(dǎo)材料)。這意味著測(cè)試時(shí)，必須小心控制電流激勵(lì)的大小。

2. 納米微粒無(wú)法承受傳統(tǒng)電子器件或材料(例如晶體管)與周?chē)骷g那么高的電壓。其原因是器件的尺寸較小，彼此的距離更近，質(zhì)量也更小，周?chē)鷱?qiáng)電場(chǎng)產(chǎn)生的力會(huì)影響器件。此外，同納米微粒相關(guān)的內(nèi)部電場(chǎng)強(qiáng)度也很高，因此施加電壓時(shí)要非常小心。

3. 由于納米器件很小，產(chǎn)生的寄生電感和電容也較低，這一特點(diǎn)在電路應(yīng)用中尤為突出。與類(lèi)似的宏觀器件相比，其開(kāi)關(guān)速度更快、功率損耗更低。然而，這也意味著測(cè)量此類(lèi)器件I-V曲線的測(cè)試儀器在跟蹤較短反應(yīng)時(shí)間的同時(shí)必須對(duì)小電流進(jìn)行測(cè)量。

因?yàn)榧{米級(jí)測(cè)試應(yīng)用中激勵(lì)和測(cè)量的電流值一般都很低，需要恰當(dāng)?shù)剡x擇和使用儀器來(lái)完成精確的電氣特性測(cè)試。除了靈敏度高之外，測(cè)量?jī)x器的響應(yīng)時(shí)間也要短(有時(shí)也稱(chēng)為高頻寬)，這些要求與DUT的低電容值以及低電流時(shí)迅速的狀態(tài)轉(zhuǎn)換有關(guān)。

測(cè)量拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇

需要指出的是，源-測(cè)量測(cè)試的電路開(kāi)關(guān)速度受到使用的儀器跟隨器件狀態(tài)的速度限制。如果測(cè)試的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)沒(méi)有經(jīng)過(guò)優(yōu)化，這一點(diǎn)尤為突出?，F(xiàn)有的測(cè)量拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是電流源/測(cè)量電壓或電壓源/測(cè)量電流兩種。

在測(cè)量低阻抗器件(低于1000Ω)時(shí)，電流源/測(cè)量電壓的方法通常會(huì)獲得最好的結(jié)果。穩(wěn)定的電流源加載到低阻抗器件時(shí)，較容易得到好的信噪比，這樣可以實(shí)現(xiàn)精確的低電壓響應(yīng)測(cè)量。

另一種選擇是電壓源/測(cè)試電流，但這種方法并不適合低阻抗測(cè)量。為了保持器件的低電流以及避免毀壞性發(fā)熱，要求施加的電壓極低。低電壓情況下，電壓源會(huì)將額外的噪聲引入到測(cè)量電流(響應(yīng))中。換言之，在加載的總電壓中很大一部分是電壓源的噪聲電壓。另外，低阻抗負(fù)載情況下電壓源穩(wěn)定性也差一些。有些電流測(cè)量問(wèn)題與儀器的電壓負(fù)擔(dān)(安培計(jì)輸入端產(chǎn)生的電壓)有關(guān)，這也會(huì)引入額外的誤差。

測(cè)量高阻抗器件(阻抗值大于10,000Ω)時(shí)，電壓源/測(cè)量電流的方法是最好的選擇。很容易實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)高阻抗的穩(wěn)定電壓源。當(dāng)將一個(gè)設(shè)計(jì)良好的電壓源加載到高阻抗器件時(shí)，將對(duì)DUT和測(cè)試電纜的雜散電容快速充電，并迅速達(dá)到最終的輸出值。采用適當(dāng)?shù)陌才嘤?jì)可以精確地測(cè)量DUT的低電流響應(yīng)。

另一種方法是電流源/測(cè)量電壓，這種方法在高阻抗測(cè)量中將會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。為了在實(shí)際測(cè)量中保持電壓響應(yīng)足夠低，必須采用低電流值，這意味著電路要用很長(zhǎng)時(shí)間對(duì)器件和測(cè)試電纜的雜散電容充電。此外，高電壓測(cè)量電路也會(huì)從DUT中分流一部分源電流。由于這部分電流沒(méi)有被測(cè)量，因而這部分電流會(huì)造成測(cè)量誤差。

電噪聲

測(cè)量的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)也會(huì)影響電噪聲，并最終限制測(cè)量的靈敏度和精度。對(duì)于采用電流源激勵(lì)的低阻抗電壓測(cè)量來(lái)說(shuō)，測(cè)量電路對(duì)DUT的電壓噪聲和阻抗較為靈敏。

對(duì)宏觀器件來(lái)說(shuō)，例如一個(gè)電阻，室溫下(270oK)的Johnson噪聲電壓可以表示為：

該公式顯示，隨著DUT電阻R的降低，DUT產(chǎn)生的Johnson電壓噪聲也隨之降低。與此相反，由電壓源激勵(lì)的高阻抗器件則受到電流測(cè)量噪聲的限制。在270oK時(shí)電阻的Johnson電流噪聲為：

這個(gè)公式表明隨著DUT電阻值的提高噪聲值會(huì)降低。

對(duì)于所有尺寸的微粒來(lái)講，除Johnson噪聲之外，還可能存在與選擇的測(cè)量拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有關(guān)的噪聲增益。噪聲增益指的是測(cè)量系統(tǒng)中噪聲的寄生放大，如果選擇正確的測(cè)量拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這種噪聲增益將不存在。例如，在一個(gè)電壓源/測(cè)量電流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，在很多電流測(cè)量電路(安培計(jì))中都采用運(yùn)算放大器，如圖1所示。為了減小噪聲增益，對(duì)于非反向輸入端子，安培計(jì)電路必須在低增益條件下工作。

圖1: (a)電壓源/測(cè)量電流方法的電路模型。(b)在DUT阻抗值低于測(cè)量阻抗時(shí)，用改進(jìn)的模型描述噪聲增益。

源-測(cè)量?jī)x器

商用的直流源-測(cè)量單元(SMU)是一種可用于納米材料和器件測(cè)試的便利工具。SMU可以自動(dòng)改變測(cè)量拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，例如可以在電壓源/測(cè)量電流和電流源/測(cè)量電壓之間迅速轉(zhuǎn)換。這樣可以在最大化測(cè)量速度和精度的同時(shí)很容易地降低測(cè)量噪聲。

像前面提到的碳納米管(CNT)那樣，一些納米微粒應(yīng)用于不同外場(chǎng)時(shí)會(huì)改變狀態(tài)。當(dāng)進(jìn)行此類(lèi)材料的研究時(shí)，可以對(duì)SMU進(jìn)行配置來(lái)提供電壓源，并對(duì)處于高阻態(tài)的納米粒子測(cè)量電流。如果材料處于低阻態(tài)，則轉(zhuǎn)換到電流源/電壓測(cè)量來(lái)獲得更高的精度。此外，SMU還帶有電流驗(yàn)證功能(compliance function)，可以自動(dòng)限制DC電流，防止電流過(guò)大損壞待測(cè)器件或材料。類(lèi)似地，當(dāng)采用電流源時(shí)也有電壓驗(yàn)證功能。

使用驗(yàn)證功能時(shí)，SMU可以輸出滿(mǎn)足要求的電流/電壓源值，除非超過(guò)了用戶(hù)的驗(yàn)證值。例如，當(dāng)SMU設(shè)定在電壓源狀態(tài)，并預(yù)設(shè)了驗(yàn)證電流值，如果超過(guò)了這個(gè)驗(yàn)證值，SMU立即自動(dòng)轉(zhuǎn)換為恒流源，其輸出值將穩(wěn)定在驗(yàn)證電流值。類(lèi)似地，如果SMU設(shè)定在電流源狀態(tài)，并設(shè)定了一個(gè)驗(yàn)證電壓，當(dāng)DUT的阻抗和電流源開(kāi)始使電壓高于驗(yàn)證值時(shí)，SMU將自動(dòng)轉(zhuǎn)換到電壓源(驗(yàn)證電壓)狀態(tài)。

像CNT開(kāi)關(guān)之類(lèi)的納米級(jí)器件可以快速改變狀態(tài)，而儀器的狀態(tài)轉(zhuǎn)換則并不能在瞬間完成。對(duì)于不同的SMU模式，開(kāi)關(guān)時(shí)間在100ns到100μs之間。盡管對(duì)于跟蹤納米微粒的狀態(tài)轉(zhuǎn)換來(lái)說(shuō)，這樣的開(kāi)關(guān)速度還不夠快，但這么短的時(shí)間已經(jīng)足夠在每個(gè)狀態(tài)下完成精確測(cè)量，同時(shí)將DUT的功率損耗限制在可接受水平。