RCK = CLK OUT （ 1）OE = CE2+ AOE （ 2）RE = CE2+ ARE （ 3）式中： RCK 為FIFO 的讀時(shí)鐘信號(hào)引腳； CLKOUT 為DSP 輸出時(shí)鐘； / OE 為FIFO 的輸出使能信號(hào)； / AOE 為EMIF 接口的輸出使能信號(hào)； /RE 為FIFO 的讀使能信號(hào)； / ARE 為EMIF 接口的讀使能信號(hào)。

　　2. 2 圖像處理模塊

　　2. 2. 1 TMS320VC5509A 與SDRAM 的接口實(shí)現(xiàn)

　　SDRAM 即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器， 外部接口采用同步和流水線技術(shù)， 具有較高的數(shù)據(jù)吞吐率。因此能滿足圖像處理高速以及大容量存儲(chǔ)的要求。5509A 的EMIF能與SDRAM 進(jìn)行無(wú)縫連接， 即不需要任何外加邏輯。

　　由于本系統(tǒng)SDRAM 存儲(chǔ)容量為64 M, 而5509A 的每一個(gè)CE 空間是32 Mbit, 因此其實(shí)是將其擴(kuò)在CE0 到CE1空間上。但是EMIF 的特性決定了只要選中CE0 也就選中了該SDRAM, 所以只需要將CE0 與SDRAM 的片選信號(hào)引腳連接上即可。SDRAM 外擴(kuò)在CE0 空間， 對(duì)CE01 寄存器需要相應(yīng)的配置， 配置MTYPE 域?yàn)?11, 用來(lái)指示該外部存儲(chǔ)器類型是SDRAM。對(duì)于把CE 空間配置為SDRAM類型的存儲(chǔ)器， EMIF 必須完成對(duì)SDRAM 初始化的工作。

　　2. 2. 2 TMS320VC5509A 與FLASH 的接口實(shí)現(xiàn)

　　FLASH 也稱閃存， 主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長(zhǎng)期保存存儲(chǔ)的信息。本系統(tǒng)選用的是AMD 公司的AM29LV800B, 它具有以下特點(diǎn)： 高性能、訪問(wèn)時(shí)間短至70 ns、超低功耗、2. 7~ 3. 6 V 單電源供電、數(shù)據(jù)可以安全保存超過(guò)20 年。系統(tǒng)初始化時(shí)， 5509A 自動(dòng)配置EMIF的數(shù)據(jù)寬度為16 位， 它的存儲(chǔ)空間只能是CE1, 因此將5509A 的/ CE1 與FLASH 的片選信號(hào)/ CE 相連， / AOE、/AWE分別與FLASH 的/ OE、/ WE 相連， 但是5509A 最多只能外擴(kuò)16 K 異步存儲(chǔ)器， 因此如果要訪問(wèn)全部的512 K 字節(jié)地址需要按照分頁(yè)方式訪問(wèn)， 這個(gè)訪問(wèn)可以通過(guò)控制在CPLD 里設(shè)置的一個(gè)控制寄存器來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中FLA SH 的高位地址線由CPL D 的控制寄存器控制， 該寄存器可以驅(qū)動(dòng)FLASH 的高位地址線處于一個(gè)固定的狀態(tài)， 從而實(shí)現(xiàn)分頁(yè)的目的。5509A 與FLA SH 連接框圖如圖3 所示。

圖3 5509A 與FLASH 接口