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          GIS的局部放電分析

          作者: 時間:2012-07-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          一、特點

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201323.htm

          (Gas Insulated Switchgear)是封閉式氣體絕緣組合電器的簡稱。其絕緣系統(tǒng)的特點是在一個金屬封閉體內(nèi)充滿SF6氣體,用環(huán)氧澆注的絕緣子,把載流導(dǎo)體支撐在外殼上。由于內(nèi)工作場強很高,就可能產(chǎn)生下述幾種。

          (1)載流導(dǎo)體表面缺陷,如有毛刺、尖角、設(shè)計不合理、導(dǎo)體表面的電場強度過高等,均會引起的。由于導(dǎo)體周圍全是氣體所包圍,所以這種局部放電又可稱為電暈。

          (2)絕緣體與導(dǎo)體的交界面上存在氣隙,這種氣隙可能是在產(chǎn)品制造時殘留的,也可能是在使用中熱脹冷縮形成的。氣隙中分配的場強高,而氣隙本身的擊穿場強又低,于是在氣隙中首先產(chǎn)生放電。

          (3)澆注絕緣體中的缺陷,如氣泡、裂紋等所產(chǎn)生的局部放電。

          (4)在SF6中導(dǎo)電微粒在強電場下產(chǎn)生的局部放電。

          GIS的局部放電分析

          圖10—1為上述幾種放電的示意圖。對于上述幾種放電,用電測法測量時,在示波器50Hz.掃描橢圓時基上,可以看到不同的放電圖形,如圖10—2所示。圖10—2a是導(dǎo)體表面有缺陷的放電,這種放電都出現(xiàn)在試驗電壓(工頻交流)負(fù)半周峰值(3π/2)附近。放電脈沖幅值和間隔幾乎相等;圖10—2b是絕緣體內(nèi)部的局部放電圖,放電是出現(xiàn)在電壓絕對值上升的相位中,正負(fù)半周都有,而且基本相同;圖10—2c是導(dǎo)體與絕緣體界面的放電圖,它與圖10—2b基本相同,只是電壓的正負(fù)半周放電圖形不對稱;圖10—2d是SF6中導(dǎo)電粒子造成的放電,它與電壓的相位無關(guān),是隨機地跳躍出現(xiàn)在不同的相位上,而且幅值比較大,放電次數(shù)不多。

          上述各種局部放電,都可能導(dǎo)致整個GIS損壞。在絕緣體中的局部放電會腐蝕絕緣材料,會發(fā)展成電樹枝,最后導(dǎo)致絕緣擊穿,表10—1表示這一破壞過程。

          初期老化局部放電量明顯變化,并增大

          氣泡壁附著放電生成物,材料炭化

          中期老化放電生成物侵蝕、擴大

          形成空洞,并向深層發(fā)展

          末期老化樹枝狀破壞性放電通道形成

          絕緣最終破壞

          在SF6中的局部放電和絕緣體表面的局部放電,都會生成或分解出一些新的生成物,如在填充劑中有硅元素存在時,可能生成有導(dǎo)電性的SiF4,這就會污染SF6,從而降低其擊穿場強,最終造成擊穿或閃絡(luò)。

          為了保證GIS的產(chǎn)品質(zhì)量和安全運行,必須進行局部放電的測量,我國(GB7674—87)《SF6封閉式組合電器》國家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定,要在

          和1.1Um(Um為試品的額定工作電壓)進行局部放電的測量,目前尚未能在標(biāo)準(zhǔn)中做出規(guī)定,允許局部放電的水平,而是由制造廠可能達(dá)到的水平與用戶商定。為了控制產(chǎn)品質(zhì)量,在生產(chǎn)過程中要對絕緣子單獨預(yù)先進行局部放電的測量,對110kV絕緣子的放電量,國內(nèi)工廠一般控制在不超過10pC,引進絕緣子的放電量不超過lpC。

          二、電測法測量GIS的局部放電

          目前GIS中局部放電的測量,主要是用電測法。在實驗室內(nèi)進行測量時,一般都采用并聯(lián)直測法的試驗線路,如圖10—3所示。在現(xiàn)場測量中,如果從高壓端來的干擾比較嚴(yán)重,可用平衡法測試回路,這時,對于三相的GIS,可取其中兩相同時進行測量,以抑制外來的干擾。

          GIS的局部放電分析

          測試方法按GB7354—87《局部放電測量》國家標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)規(guī)定。測量的靈敏度要求比較高,可測最小放電量應(yīng)不大于1pC。圖10—4是澆注環(huán)氧樹脂內(nèi)部人工氣隙放電產(chǎn)生的脈沖電壓波形。隨著環(huán)氧樹脂中增添填充劑和人工氣隙尺寸的增大,這種放電脈沖上升和下降都變得比較緩慢,但上升時間還是在ns數(shù)量級。GIS中其他形式的放電,如電暈、雜質(zhì)粒子的放電,高頻分量就更多。為了抑制外界的干擾(上百MHz的干擾是很少的),提高信噪比,取超高頻寬帶測試系統(tǒng)是比較合適的。

          在GIS中,局部放電發(fā)生在絕緣.子內(nèi)的幾率很大,因此在生產(chǎn)過程中要先預(yù)測絕緣子的局部放電。圖10—5是用于測量絕緣子局部放電的線路與裝置。試品、耦合電容器、高壓試驗變壓器等高壓部件都裝在充滿SF6的罐子中。試品可同時裝進5~10個這樣的罐子中,通過測量切換裝置,可以分別測量單個試品的局部放電。局部放電測試儀的頻帶為40~2000kHz。補償電抗器是用以補償容性負(fù)載以減小設(shè)備的容量。LC濾波器是為了濾掉從電源來的高頻分量的干擾。在此裝置中,各試品的高壓端是連接在一起的,高壓端對地及對切換裝置的接頭都有雜散電容,因此,在被試絕緣子鄰近的絕緣子中的放電信號,也會進入測試儀器,不過這些雜散電容比耦合電容要小得多,這種影響只有在鄰近絕緣子有很強烈的放電時,才應(yīng)予以校正。

          為了能識別在GIS中不同類型的放電和確定放電的位置,近年來國內(nèi)外正在研制各種計算機輔助的局部放電檢測系統(tǒng),這個系統(tǒng)的硬件能采集到每個局部放電產(chǎn)生脈沖的大小、各次放電時試驗電壓的相位及瞬時值、試驗電壓的峰值、從開始到結(jié)束的測量時間(用工頻周期數(shù)表示),并通過A/D轉(zhuǎn)換,變?yōu)閿?shù)字量進人計算機。這種系統(tǒng)的軟件功能是對采集的數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計計算和,識別是何種放電以及可能的放電位置。識別的方法是先在GIS中人工造成不同位置上、不同類型的放電,測得這些放電的放電電荷、放電能量、放電相位、兩次放電間的時間間隔等參數(shù)的統(tǒng)計量及其分布,以此模式與實際試驗中測得的這些統(tǒng)計量和分布進行比較,從而得出放電的類型及可能的放電位置。

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