宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出半橋式開發(fā)板(EPC9059)，專為大電流、高頻的負(fù)載點(diǎn)(POL)應(yīng)用而設(shè)，目的是利用氮化鎵集成電路(eGaN IC)的優(yōu)勢(shì)，縮小功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的尺寸。該板具有30 V最高器件電壓、50 A 最大輸出電流。在這應(yīng)用中，兩個(gè)30 V 的eGaN IC(EPC2100)并聯(lián)工作并配備板載驅(qū)動(dòng)器，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的輸出電流。與硅基MOSFET相比，由于氮化鎵器件具有卓越的均流能力，因此更適合并聯(lián)操作。

　　在12 V輸入電壓、1 V輸出、1 MHz開關(guān)頻率的工作條件下，該板的總系統(tǒng)效率差不多達(dá)90%。 在自然對(duì)流及沒(méi)有散熱器的條件下，它可支持的負(fù)載可以達(dá)32 A。而在40 A重負(fù)載的條件下，與硅基DrMOS解決方案相比，效率會(huì)高出2.5%，使系統(tǒng)的總功率損耗差不多降低了20%。

　　該板展示了氮化鎵技術(shù)如何針對(duì)新一代負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器所需的更高的頻率及更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更細(xì)小、更高效及具有更高功率密度的解決方案。

　　價(jià)格及供貨詳情

　　EPC9059開發(fā)板的單價(jià)為137.75美元，可立即從Digikey公司或北高智科技公司購(gòu)買。