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          這些年,英特爾、三星、臺(tái)積電在制程上的恩恩怨怨

          作者: 時(shí)間:2016-02-15 來(lái)源:pconline 收藏
          編者按:目前半導(dǎo)體工業(yè)恐懼的事實(shí):CPU的制程極限是1nm,當(dāng)線寬大概在1nm量級(jí)的時(shí)候,電子無(wú)法用經(jīng)典圖像描述,此時(shí),CPU必須放棄使用硅做半導(dǎo)體了,那個(gè)時(shí)候還繼續(xù)進(jìn)行制程大戰(zhàn)嗎?

            制程工藝的極限在哪里?

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201602/286922.htm

            我們知道,目前最先進(jìn)的制程就是14nm。隨著半導(dǎo)體工業(yè)追求的制程越來(lái)越先進(jìn),量級(jí)遲早會(huì)步入量子級(jí)別的,到時(shí)會(huì)出現(xiàn)量子效應(yīng),導(dǎo)致原子之間的相互影響。所謂的電路就不是單純的電路了,其工作原理和常規(guī)物理電路完全不同,其中“量子遂穿”效應(yīng)就是其中之一。



            硅遲早迎來(lái)末日?

            



            碳納米管結(jié)構(gòu)示意圖:?jiǎn)蝹€(gè)原子層卷起形成,相當(dāng)于人類(lèi)頭發(fā)寬度的千分之一

            事實(shí)上,硅的替代材料還有多種,如IBM致力研究的碳納米管等。



            HBM技術(shù)會(huì)用到CPU嗎?

            此外也可以另辟蹊徑,在使用現(xiàn)有工藝的情況下來(lái)提高單位面積下晶體管的集成數(shù)量。比如2.5D、3D堆疊等方案,目前在SSD 3D NAND、HBM顯存等已有成功應(yīng)用。不過(guò),發(fā)熱問(wèn)題得要好好想想。在未來(lái)甚至還可能有光子計(jì)算、量子計(jì)算、DNA計(jì)算等顛覆摩爾定律的超級(jí)計(jì)算機(jī)出現(xiàn)。

            也許這種高技術(shù)離我們很遠(yuǎn),我們不需要擔(dān)心,因?yàn)橛腥艘呀?jīng)幫我們擔(dān)心、幫我們摸索解決這個(gè)擔(dān)心的辦法。希望如此。


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          關(guān)鍵詞: 英特爾 三星 臺(tái)積電

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