四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色

　　在主要的NAND廠商中，三星最早量產了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產上要落后三星至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級市場的。

　　這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術不同，堆棧的層數也不一樣，而Intel在常規(guī)3D NAND閃存之外還開發(fā)了新型的3D XPoint閃存，它跟目前的3D閃存有很大不同，屬于殺手锏級產品，值得關注。

　　四大NAND豪門的3D NAND閃存規(guī)格及特色

　　上述3D NAND閃存中，由于廠商不一定公布很多技術細節(jié)，特別是很少提及具體的制程工藝，除了三星之外其他廠商的3D NAND閃存現在才開始推向市場，代表性產品也不足。

　　三星：最早量產的V-NAND閃存

　　三星是NAND閃存市場最強大的廠商，在3D NAND閃存上也是一路領先，他們最早在2013年就開始量產3D NAND閃存了。在3D NAND路線上，三星也研究過多種方案，最終量產的是VG垂直柵極結構的V-NAND閃存，目前已經發(fā)展了三代V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。

　　值得一提的是，三星在3D NAND閃存上領先不光是技術、資金的優(yōu)勢，他們首先選擇了CTF電荷擷取閃存(charge trap flash，簡稱CTF)路線，相比傳統(tǒng)的FG(Floating Gate，浮柵極)技術難度要小一些，這多少也幫助三星占了時間優(yōu)勢。

　　有關V-NAND閃存的詳細技術介紹可以參考之前的文章：NAND新時代起點，三星V-NAND技術詳解

　　東芝/閃迪：獨辟蹊徑的BiCS技術

　　東芝是閃存技術的發(fā)明人，雖然現在的份額和產能被三星超越，不過東芝在NAND及技術領域依然非常強大，很早就投入3D NAND研發(fā)了，2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND閃存簡單堆棧是可以作出3D NAND閃存的，但制造工藝復雜，要求很高，而東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling，強調的就是隨NAND規(guī)模而降低成本，號稱在所有3D NAND閃存中BiCS技術的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。

　　東芝和閃迪是戰(zhàn)略合作伙伴，雙方在NAND領域是共享技術的，他們的BiCS閃存去年開始量產，目前的堆棧層數是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb，預計會在日本四日市的Fab 2工廠規(guī)模量產，2016年可以大量出貨了。

　　SK Hynix：悶聲發(fā)財的3D NAND

　　在這幾家NAND廠商中，SK Hynix的3D NAND最為低調，相關報道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND閃存資料，不過從官網公布的信息來看，SK Hynix的3D NAND閃存已經發(fā)展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的則是第三代3D NAND閃存，只不過前面三代產品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動市場，今年推出的第四代3D NAND閃存則會針對UFS 2.1、SATA及PCI-E產品市場。

　　SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數從36層起步，不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。