IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。

長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲產(chǎn)品，并支付專利使用費。

長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品（Y2BM 系列），侵犯了長江存儲在美國提交的 11 項專利或?qū)＠暾垺?/p>

2023 年 11 月，長江存儲就曾在美起訴美光專利侵權(quán)，涉 8 項專利；2024 年 6 月，長江存儲在美起訴美光資助的咨詢公司，指控其散布虛假信息。如今長江存儲再度“亮劍”，IT之家將跟進(jìn)后續(xù)訴訟消息。