基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg3410-pr-cn

　　“通過3百萬小時以上的可靠測試，LMG3410使電源設(shè)計人員對GaN的無限潛能充滿信心，并且這也他們用之前認為根本不可行的方法重新思考電源架構(gòu)和系統(tǒng)，”TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses說，“隨著TI在生產(chǎn)制造能力和大量系統(tǒng)設(shè)計專業(yè)知識方面的聲譽不斷擴大，全新的功率級成為TI邁向GaN市場的重要一步?！?/p>

　　借助集成驅(qū)動器和零反向恢復電流等特性，LMG3410提供可靠的性能，特別是在硬開關(guān)應用中更是如此;在這些應用中，它能夠極大地降低開關(guān)損耗，最多能降低80%。與獨立GaN FET不同，易于使用的LMG3410集成了針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)故障保護的內(nèi)置智能化等功能。

　　經(jīng)驗證的制造和封裝專業(yè)技術(shù)

　　LMG3410是第一款包含了由TI生產(chǎn)的GaN FET的半導體集成電路(IC)。基于在制造和工藝領(lǐng)域多年形成的專業(yè)技術(shù)，TI在其硅技術(shù)兼容的工廠內(nèi)創(chuàng)造出了GaN器件，并且通過不斷的實踐，使這些器件的質(zhì)量超過了電子元件工業(yè)聯(lián)合會(JEDEC)標準的要求，以確保GaN在嚴酷的使用環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)健耐用性。易于使用的封裝將有助于增加功率因數(shù)控制器(PFC) AC/DC轉(zhuǎn)換器、高壓DC總線轉(zhuǎn)換器和光伏(PV)逆變器等應用中GaN電源設(shè)計的部署和采用率。

　　LMG3410的主要特點和優(yōu)勢

　　· 使功率密度加倍。與基于硅材料的先進升壓功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器相比，600V功率級在圖騰柱PFC中的功率損耗還要低50%。減少的物料清單(BOM)數(shù)量和更高的效率最多可以將電源的尺寸減少50%。

　　· 減少封裝寄生電感。與分立式GaN解決方案相比，全新器件的8mmx8mm四方扁平無引線(QFN)封裝減少了功率損耗、組件電壓應力和電磁干擾(EMI)。

　　· 可實現(xiàn)全新拓撲。GaN的零反向恢復電荷有益于全新開關(guān)拓撲，其中包括圖騰柱PFC和LLC拓撲，以增加功率密度和效率。

　　拓展GaN生態(tài)系統(tǒng)

　　為了能夠讓設(shè)計人員在他們的電源設(shè)計中利用GaN技術(shù)所具有的優(yōu)勢，TI還推出了全新的產(chǎn)品，以擴展其GaN生態(tài)系統(tǒng)。LMG5200POLEVM-10，一個48V至1V負載點(POL)評估模塊，將包括與80V LMG5200 GaN FET功率級配對使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。這個解決方案可以在工業(yè)、電信和數(shù)據(jù)通信應用中實現(xiàn)高達92%的效率。

　　供貨

　　TI將提供包含一個半橋子板和4個LMG3410 IC樣片的開發(fā)套件。第二個套件包含一個系統(tǒng)級評估母板。一起使用時，這兩個套件可實現(xiàn)直接工作臺測試和設(shè)計?，F(xiàn)在，這兩個開發(fā)套件在TI商店有售。

　　其它資源：

　　· 查看TI的GaN解決方案產(chǎn)品庫。

　　· 用數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器提高您的GaN體驗。

　　· 下載這些白皮書：

　　o “用集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能?！?/p>

　　o “基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC?！?/p>

　　· 閱讀博文，“我們一起來實現(xiàn)GaN的可靠運行”，并且深入研究Power House博客內(nèi)的更多GaN博文。

　　· 加入德州儀器在線支持社區(qū)，尋找解決方案，獲得幫助，并與同行工程師和TI專家分享知識和解決難題。