格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶而打造，適用于汽車雷達、衛(wèi)星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網(wǎng)絡(luò)的應用。

　　格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術(shù)是該公司130nm高性能硅鍺系列產(chǎn)品的最新成員，它可協(xié)助客戶制定射頻解決方案，以在更遠距離實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)吞吐量，同時耗能更少。這項先進技術(shù)大幅提升了異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數(shù)、改善信號完整性并將硅鍺 8XP的最大振蕩頻率(Fmax)增加至340GHz，相比以前的硅鍺 8HP提升了25%。

　　運行于毫米波頻段的高帶寬通信系統(tǒng)帶來了復雜性和高性能要求，因此急切需要性能更優(yōu)的芯片解決方案。除了依靠硅鍺技術(shù)獲得高性能的各種應用外(如：通信基站設(shè)施、回程信號隧道、衛(wèi)星和光纖網(wǎng)絡(luò))，高性能硅鍺解決方案還可在5G智能手機的射頻前端以及其他毫米波相控陣消費應用領(lǐng)域迎來發(fā)展良機。

　　格羅方德半導體射頻業(yè)務(wù)部高級副總裁Bami Bastani博士認為：“5G網(wǎng)絡(luò)將促進射頻SoC設(shè)計實現(xiàn)新一代的創(chuàng)新，以支持高帶寬的數(shù)據(jù)傳輸并滿足對更快數(shù)據(jù)傳輸和更低延遲率應用的需求。格羅方德的硅鍺 8HP和8XP技術(shù)可以有效平衡性能、功率和效率，助力客戶在下一代移動和硬件設(shè)施上開發(fā)出差異化的射頻解決方案。”

　　Anokiwave的首席執(zhí)行官Robert Donahue表示：“格羅方德的領(lǐng)先硅鍺技術(shù)和全面的平臺開發(fā)工具包能使我們的開發(fā)設(shè)計人員快速開發(fā)出性能更優(yōu)、更具差異化的毫米波解決方案。利用硅鍺 8XP技術(shù)，我們可以推出面向未來、更高性能的毫米波解決方案，以幫助我們的供應商隨時隨地確保穩(wěn)定的連接性，同時從容應對呈爆炸式激增的海量移動數(shù)據(jù)流。”

　　未來的5G網(wǎng)絡(luò)將在更小單元面積內(nèi)促進基站擴增，硅鍺8HP和8XP技術(shù)旨在充分平衡微波和毫米波頻段的價值、輸出功率、效率、低噪性和線性，以實現(xiàn)下一代移動基礎(chǔ)硬件設(shè)施和智能手機射頻前端的差異化射頻解決方案。格羅方德的硅鍺 8HP和8XP高性能技術(shù)可幫助芯片設(shè)計者整合重要的數(shù)字和射頻功能，以開發(fā)出比砷化鎵(GaAs)更經(jīng)濟，比CMOS性能更優(yōu)越的芯片技術(shù)。

　　除了在毫米波頻段高效運行的高性能晶體管，該技術(shù)引發(fā)的技術(shù)創(chuàng)新還可以減少芯片尺寸，產(chǎn)生高效空間利用的解決方案。全新的銅金屬化功能特性使得材料的電流承受能力在100攝氏度時提高5倍(以電流密度計)，或相比標準銅線，在相同的電流密度下其溫度高出25攝氏度;此外，格羅方德經(jīng)生產(chǎn)驗證的硅通孔(TSV)互連技術(shù)現(xiàn)已問世。

　　硅鍺 8XP設(shè)計套件現(xiàn)已全面上市。欲了解關(guān)于格羅方德130nm 硅鍺高性能技術(shù)解決方案的更多詳情，請蒞臨我們在舊金山國際微波研討會(International Microwave Symposium)的1443號展位(5月22日-27日)，或訪問globalfoundries.com/sige。