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          韓國KAIST開發(fā)出使用石墨烯的有機EL,EQE高達(dá)40.8%

          作者: 時間:2016-06-14 來源:技術(shù)在線 收藏

            韓國的一所研究生院——韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST,Korea Advanced Institute of Science and Technology)開發(fā)出了以代替ITO作為透明導(dǎo)電膜的綠色發(fā)光元件。相關(guān)詳情已經(jīng)以論文的形式發(fā)表在學(xué)術(shù)期刊《自然通訊》 (Nature Communications)上。該元件設(shè)想主要用于顯示器用途。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201606/292560.htm

            該發(fā)光元件的外部量子效率(EQE)高達(dá)40.8%,肉眼感覺到的發(fā)光效率高達(dá)160.3lm/W。雖然業(yè)界以前也曾出現(xiàn)過將用作透明電極的元件,但此次開發(fā)的元件的特點是EQE及發(fā)光效率非常高。

            

           

            此次試制的以TiO2、、HIL1為透明電極的綠色發(fā)光元件群

            左側(cè)為在玻璃基板上制作的例子,右邊兩個是在柔性PET基板上制作的例子 (圖片來源于KAIST)

            

           

            此次的有機EL元件的層狀結(jié)構(gòu)(左)以及元件內(nèi)的電磁場強度與其他層狀結(jié)構(gòu)的對比結(jié)果(右)

            右圖最下面為此次的層狀結(jié)構(gòu)。虛線表示元件內(nèi)的電磁場強度 (KAIST)

            據(jù)KAIST介紹,發(fā)光效率等很高的原因是為有機EL元件設(shè)置了共振器結(jié)構(gòu)。由此,提高了特定波長的選擇效果,同時還減少了電極上的表面等離子體造成的損耗。

            此次開發(fā)的有機EL元件由玻璃、氧化鈦(TiO2)層、4層石墨烯、由導(dǎo)電性聚合物組成的空穴注入層1(HIL1)、HIL2、發(fā)光層、電子輸送層(ETL)、鋁(Al)電極等構(gòu)成。

            據(jù) 介紹,在這些結(jié)構(gòu)層中,起到關(guān)鍵作用的技術(shù)是以TiO2層和HIL1呈三明治形狀夾住4層石墨烯的設(shè)計,以及各層的厚度及折射率。TiO2層的折射率高達(dá) 2.5。而且,按照發(fā)光為λ、光學(xué)距離為λ/4的比例設(shè)計了層的厚度。此次發(fā)光波長為綠色(550nm),因此層厚為55nm。

            HIL1 由“GraHIL”材料構(gòu)成,該材料在經(jīng)常用作導(dǎo)電性聚合物的PEDOT:PSS中混合了名為PFI(tetra-fluoroethylene- perfluoro-3, 6-dioxa-4-methyl-7-octenesulphonic acid copolymer)的聚合物。GraHIL的折射率僅為1.42。此次按照光學(xué)距離為2λ/3的比例設(shè)計了HIL1的厚度。順便一提,HIL2由 PEDOT:PSS構(gòu)成,折射率為1.56。

            據(jù)論文介紹,此次采用這種設(shè)計出于以下三大目的。(1)TiO2層、石墨烯、HIL1的合計 光學(xué)厚度為3λ/4,與原來使用透明電極ITO時光提取效率最高的情況一致;(2)有機EL元件的發(fā)光層發(fā)出的光在HIL2和HIL1的邊界進(jìn)行反射時反 射率提高,從有機EL元件的鋁電極到HIL2的層狀結(jié)構(gòu)更容易作為共振器發(fā)揮功能;(3)因HIL1的折射率較低,石墨烯電極上的表面等離子體造成的損耗 減少。

            以2.3mm的曲率半徑彎曲1000次,性能也不會劣化

            KAIST在PET基板上(而不是玻璃基板)制作了層狀結(jié)構(gòu)幾乎相同的有機EL元件,并評估了其發(fā)光效率和耐彎曲性。EQE比在玻璃基板上制作時低了幾個百分點,發(fā)光效率也低了約20個百分點,但與不使用TiO2層等的石墨烯電極有機EL元件相比,這些數(shù)值都高出很多。

            彎曲耐久性方面,最大以2.3mm的曲率半徑彎曲測試1000次之后,并未發(fā)現(xiàn)性能劣化。KAIST表示,彎曲耐性提高的原因之一是,將彎曲耐性不高的TiO2層的厚度減小到了非常薄的水平,僅為55nm。



          關(guān)鍵詞: 石墨烯 有機EL

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