富士電機(jī)與香港科技大學(xué)組成的研究小組在“ISPSD 2016”上發(fā)布了可縮小二極管的邊緣終端(Eedge Termination)區(qū)域的新技術(shù)。與以往設(shè)置保護(hù)環(huán)的邊緣終端相比，該技術(shù)可使邊緣終端的長(zhǎng)度縮短至1/5以下。

　　隨著二極管不斷實(shí)現(xiàn)微細(xì)化，作為元件發(fā)揮作用的主動(dòng)區(qū)域越來(lái)越小，邊緣終端在二極管芯片中所占的比例則越來(lái)越大。尤其是輸出電流較小的二極管，邊緣終端所占的比例更大。在用于白色家電等的耐壓600V的5A二極管中，邊緣終端的長(zhǎng)度約為350μm，在整個(gè)芯片面積中所占的比例達(dá)到了約55%。因此，該研究小組開始研究如何縮小邊緣終端。

　　此次采用了在二極管表面挖掘溝槽，然后用“BCB(苯并環(huán)丁烯)”等填充溝槽的結(jié)構(gòu)。在主動(dòng)區(qū)域?yàn)?.55mm2(相當(dāng)于2A)的情況下，采用該結(jié)構(gòu)設(shè)置邊緣終端，僅以35μm的長(zhǎng)度就獲得了755V的耐壓特性。據(jù)介紹，這一數(shù)值還不到以往采用保護(hù)環(huán)方式的邊緣終端的1/5。