COMS與TTL電路的區(qū)別
本文主要講了一下關(guān)于COMS與TTL電路的區(qū)別,希望對你的學(xué)習(xí)有所幫助。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201607/293984.htm一、CMOS與TTL電路的區(qū)別
1、CMOS是場效應(yīng)管構(gòu)成(單極性電路),TTL為雙極晶體管構(gòu)成(雙極性電路)
2、COMS的邏輯電平范圍比較大(5~15V),TTL只能在5V下工作
3、CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng),TTL則相差小,抗干擾能力差
4、CMOS功耗很小,TTL功耗較大(1~5mA/門)
5、CMOS的工作頻率較TTL略低,但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng)
6、CMOS的噪聲容限比TTL噪聲容限大
7、通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路。影響 TTL門電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大,工作速度越低。管子的開關(guān)時間越長,門的工作速度越低。門的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對于輸入波形上有“傳輸延時”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱為“速度-功耗積”,做為器件性能的一個重要指標(biāo),其值越小,表明器件的性能越 好(一般約為幾十皮(10-12)焦耳)。與TTL門電路的情況不同,影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部,即負(fù)載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。
8、TTL電路是電流控制器件,而coms電路是電壓控制器件。
二、CMOS使用注意事項
1)COMS電路時電壓控制器件,它的輸入總抗很大,對干擾信號的捕捉能力很強(qiáng)。所以,不用的管腳不要懸空,要接上拉電阻或者下拉電阻,給它一個恒定的電平。
2)輸入端接低內(nèi)組的信號源時,要在輸入端和信號源之間要串聯(lián)限流電阻,使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。
3)當(dāng)接長信號傳輸線時,在COMS電路端接匹配電阻。
4)當(dāng)輸入端接大電容時,應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。
5)COMS的輸入電流超過1mA,就有可能燒壞COMS。
三、什么叫做圖騰柱,它與開漏電路有什么區(qū)別?
TTL集成電路中,輸出有接上拉三極管的輸出叫做圖騰柱輸出,沒有的叫做OC門。因為TTL就是一個三級關(guān),圖騰柱也就是兩個三級管推挽相連。所以推挽就是圖騰。一般圖騰式輸出,高電平400UA,低電平8MA
四、什么是CMOS電路的鎖定效應(yīng)
COMS電路由于輸入太大的電流,內(nèi)部的電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大 。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時,COMS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上,很容易燒毀芯片。
防御措施:
1)在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓。
2)芯片的電源輸入端加去耦電路,防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。
3)在VDD和外電源之間加線流電阻,即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。
4)當(dāng)系統(tǒng)由幾個電源分別供電時,開關(guān)要按下列順序:開啟時,先開啟COMS電路得電源,再開啟輸入信號和負(fù)載的電源;關(guān)閉時,先關(guān)閉輸入信號和負(fù)載的電源,再關(guān)閉COMS電路的電源。
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