關于16F914抗靜電放電。。。。。。

　　最近做了個項目，用16F914，就幾個按鍵，幾個數(shù)碼管，幾個輸入信號(數(shù)字信號)處理。板子脈沖群測試很好，4kV都沒問題。就是靜電放電，耦合怎么打都過不了6kV，以前用過的16F72，16F73，16C57都很好15kV輕松過，各位達人有什么高招啊，謝謝~~

　　試過方案：

　　1：MCLR上拉10k、串聯(lián)一個1k電阻，0.1uf電容到地。

　　2：MCLR上拉1k、串聯(lián)一個200電阻，0.1uf電容到地。

　　3：MCLR上拉1k、0.1uf電容到地。

　　4：MCLR上拉4.7k、串聯(lián)一個1k電阻，0.1uf電容到地。

　　5：禁止MCLR，MCLR腳下拉一個1k電阻到地，電阻并一0.1uf電容。

　　以上都試過，怎么也打不過去，實在不行我只好換16F74+24C02來搞了，暈，代碼都寫好了。。

　　PCB我布的比較小心，應該沒什么問題啊，我用過的AVR的EFT,ESD測試都是超強啊，PIC的16fxxx怎么會這樣呢，是不是還有什么沒注意到啊?

　　打一下數(shù)碼管就黑一下，單片機復位，暈實在暈表現(xiàn)和以前16F57 時如出一轍。。。

　　單片機接去耦電容了嘛?

　　接在什么地方，遠嗎?

　　加了，0.1uf+10uf很近，近的不能在近了，PCB嚴格按照單片機常用的布線方法。

　　建議增加EMC技術專欄，現(xiàn)在新出的一些片子功能很不錯可是16F***抗干擾都很垃圾，我現(xiàn)在都不敢用這些新片子。主要是靜電放電，以前microchip的客服跟我說在輸入口串一個1k電阻，我想如果這樣的話那設計真的需要很小心(芯片外圍包者一圈電阻???)。我用PIC三四年了，算是個老用戶了我現(xiàn)在很困惑，如果這個問題得不到解決的話，下次開發(fā)新項目真不敢用了。因為這不是我第一次碰到這個問題，而且我的兩位同事在不同的項目中也都碰到這個問題了。。。。

　　支持!數(shù)字產(chǎn)品的抗干擾問題確實是最讓人頭痛的。

　　難道這個芯片出來這么久了就沒人用過嗎，用過的人就都很好嗎，沒出過這樣的問題嗎?

　　我在用。但是我不懂這些，呵呵。

　　我的項目對抗干擾要求也很高?？戳诉@個有點怕，靜電的不管，希望不要干擾到我的信號。。。

　　脈沖群測試是用什么設備?直接打電源么.

　　靜電放電選用的是什么設備?

　　輸入信號端口抗干擾測試是用什么設備?

　　搞笑帖，多從自己身上找問題把……

　　俺大把大把用著PIC16F913/914呢，沒有你說的問題……

　　1樓說的AVR的ESD性能比PIC16F91X強的觀點只是你個人的看法，AVR的ESD是它的一個軟肋，AVR的MEGA系列印象中似乎只有 MEGA16比較好一點，這你可以直接從AVR提供的手冊中查到數(shù)據(jù)。

　　對于MCU來說，PIC的ESD性能遠遠比AVR強的，你那是氣隙放電，所以可以用15KV測試，我手上的靜電槍可以打到30KV，一般設計得當，過20KV是沒問題的。

　　在這談談關于靜電處理的常見方法，對付靜電一般有如下幾招：

　　1：要有足夠的地面積，有了足夠的地面積，還要注意要保證有足夠小的地阻抗。

　　這可以從干擾的本質說起，干擾的實質是快速變化的電壓或電流，歸結到最好其實就是快速變化的電流引起‘地’的不穩(wěn)定，當?shù)刈杩乖叫?，其能承受的干擾等級就越強，當?shù)刈杩篂槔硐氲?阻抗時，就沒有了干擾這個說法。

　　所以，這是第一注意的，一般布線規(guī)則強調地線要盡量粗點，也就基于此，當?shù)鼐€盡量粗，只是一種美好愿望，因為PCB都是有尺寸限制的，所以我們此時要學會計算地阻抗。

　　計算方法?

　　不需要真正的去計算，如果需要那么麻煩的去計算，就需要數(shù)學建模，這個模型還不一定準確，現(xiàn)在的電子產(chǎn)品開發(fā)時間就是生命，所以很多時候就得靠經(jīng)驗，經(jīng)驗怎么來?

　　這。這。。這。。。這需要你自己去總結，歸納，試驗，但一般遵循以下的定理總是沒有錯，這個鼎鼎大名的定理就是歐姆定律，請自己思考一下地阻抗和歐姆定律的關系把……

　　2：在地阻抗已經(jīng)是你能設計出的最小阻抗的情況下，我們已經(jīng)沒有辦法將地阻抗再降低了，此時還有干擾怎么辦?

　　很簡單啊，兩個字：距離，VCC和GND間有了距離所以安全，干擾和信號間有了距離可以平安，盡量增加可能引入干擾處的PCB到端口的距離，很多人布板的時候，喜歡鋪銅，鋪銅本身是一種良好的習慣，但不恰當?shù)匿併~卻會帶來問題，例如，很多人鋪銅的時候，銅層過于靠近板邊緣，那么這就很危險，為什么?

　　請想一想：測試靜電的時候，人們都習慣怎么做?

　　找縫隙啊，找結構上的縫隙，如果鋪銅太靠近邊緣，你說結果會是怎么樣的呢?

　　3：如果上面兩點你都處理不好，怎么辦?

　　嘿嘿，聽說過防靜電膠嗎?好象還有什么防靜電紙什么的……

　　4：另外也要注意以下常規(guī)的硬件處理，產(chǎn)品的引入引出都需要做一些特別的處理，因為很容易從這個薄弱的地方引入干擾。

　　5：軟件抗干擾?

　　那當然了，但這個話題太大了，要引開這個話題，那就太浪費俺的時間了，俺說它三天三夜也說不完，所以：不說了……

　　請自己思考把。

　　給你一些靜電測試的案例參考一下(氣隙放電，按CE標準測試)：

　　MICROCHIP：一般都能做到15KV以上，但即使30KV測試，最多 MCU出現(xiàn)RST，在我的測試中未見擊穿。

　　HOLTEK：一般能測試到8KV以上，超過15KV以后容易出現(xiàn)MCU被擊穿的現(xiàn)象。

　　AVR：一般能也能測試到15KV以上，但不同型號間，還是有較多差異的，具體數(shù)據(jù)可參考ATMLE自己提供的一份有關接觸放電的測試報告，我的PC上沒有保留，可自己GOOGLE一下，超過20KV后偶爾出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。

　　MOTO908系列：和PIC差不多，沒見到什么區(qū)別

　　NEC：和AVR差不多，但不得不提的是，NEC的EFT測試比AVR要強一些(俺不喜歡日貨，但希望中肯的對它評價一下)

　　ST：沒測試過它的ESD，因為俺沒用過這個廠家的MCU，但測試過一些廠家生產(chǎn)的樣機，主觀感覺，質量還可以

　　NXP：比AVR差點，但不是很明顯，一般產(chǎn)品，設計得當也沒什么問題

　　有一個4位機，相信大家可能有了解的，SINO也就是中穎，我用過69P42/43，KAO，EFT/ESD超猛，可惜是4位的，也可能正是因為是 4BIT，所以才能超猛……

　　謝謝，yewuy，如你所說我一直再自己身上找問題。我想我還是具有一定的布板經(jīng)驗也參考了MICROCHIP的EMC文檔。啥也不說了，我很快就移植到 16F74+24C02了，這個片子我以前測試過比較好，用實踐證明證明一下吧。AVR的我不知道你是怎么用的，但是AVR的復位端子加個電容后其EMC 性能確實不下PIC的16C57(我在實際項目中測試過的)。另外防靜電紙我不想考慮，如果到這個地步只能證明設計的失敗，那么我只想重來。

　　俺也曾經(jīng)大把的用過16F74

　　但16F74用的人似乎不多，出貨有的時候有問題，而且16F74價格和性能都不怎么樣，所以，俺已經(jīng)淘汰它了……

　　還有一個MCU俺沒說，那就是MSP430，這個東西比較嬌貴，但如果設計得當，也是沒問題的，我以前吃過它的虧，開始用的時候按照一些通用規(guī)則搞搞，測試結果沒達到俺的要求，后來認真研究研究它的一些結構，其實還是有辦法搞定它的……

　　LS說的在復位端加電容才能解決的問題，說實話，這是一種很恐怖的事情，良好的設計應該是少掉一些東西性能沒有明顯下降才可以的，如果一個設計缺少某一個電容就出現(xiàn)如果大的性能差異，那恐怕會……

　　不知道PSOC東西怎么樣，最近打算抽空搗鼓它……

　　今天興致高，就再胡說點……

　　關于產(chǎn)品的EMC性能，很多人不知道如何處理，對著死機或者復位的現(xiàn)象嘆息，往往不知道如何是硬件還是軟件才能解決問題，其實簡單點，可以先從以下幾點思考：

　　1：先確定是死機還是不斷的復位，如果在測試中發(fā)現(xiàn)不斷的復位，那么首先要處理的是硬件，一個系統(tǒng)你首先要保證你的軟件能跑起來才行，所以測試中連續(xù)不斷的復位只能說明硬件設計不良。

　　2：如果通過修改硬件可以達到在測試時不連續(xù)復位，但偶爾會死機怎么辦?

　　基本上是軟件比較差，MCU一般都很忠實的執(zhí)行指令的，考慮程序結構，異常處理等等去把……

　　3：如果測試中出現(xiàn)偶爾復位，但不會死機怎么辦?

　　這個情況比較復雜，但產(chǎn)品能做到這一步，說明你已經(jīng)有一定的設計/分析能力，這需要你自己分析了，一般情況下，這個與硬件關聯(lián)多一些。

　　4：要說明一點：在某種等級下出現(xiàn)例如偶爾復位不死機不等于加強測試不出現(xiàn)死機，所以要多種測試等級參考著來

　　5：完蛋了，怎么寫著寫著，想睡覺，最近休息不良……

　　就說F914 吧，復位端不加0.1uf電容的話，你試過嗎，我昨天試過了EFT連1.8kV都沒過，加了電容馬上過4kV。事實擺在眼前，不知該怎么解釋?我當然知道 F74的性價比了，否則我也不會一開始用F914的了。MSP430我也測試過，靜電有點麻煩，但最后加了一些措施也很容易過了，從測試的表現(xiàn)上看，比 914要強一些。測試標準符合GB/T17626.2，GB/T17626.4。

　　PIC的片子用了很長時間了，我用過和測試過的片子(16C57/CF775/16C54/16F72/16F73/16F877/16F873/16F630)，一直都是比較信賴的，我想我肯定不是個高手，但決定不是菜鳥像我這樣的人可能代表了很大的一部分用戶。yewuyi 肯定是個高手，但是我就郁悶了,難道PIC的某些片子是給高手用的??914的這個問題我會研究到底的，我只想弄明白。。。。。。

　　呵呵，說過笑話，俺用PIC的MCU的時候，

　　很多時候都沒焊接RST口那個104電容，我直接一個5K1的電阻到VCC，一直測試EFT都是 4KV/(2.5KHZ/5KHZ/100KHZ)

　　不會因為少了一個104就那么脆弱的……

　　如果是 PIC16C5X，樓上的接法過4kV我信，呵呵，但是是16F630或這個16F914MCLR腳的結構和PIC16C5X根本就不同，連 microchip本身也是推薦采用上拉10k串1k并0.1uf，事實也是證明如此。。。。。

　　這是 datesheet里的描述

　　看看datesheet里的描述吧

　　附件: 您所在的用戶組無法下載或查看附件

　　另外，我不是專業(yè)的EMC測試人員，對國標理解的不是很透我仔細查了IEC61000-4-2,發(fā)現(xiàn)IEC61000-4-2里明確規(guī)定的是放電頭接觸水平耦合板，我試過了，如果是接觸耦合板放電，那對產(chǎn)品根本就沒什么影響。但是如果是用圓頭靠近水平耦合板放出電火花，對產(chǎn)品影響很大，也就是說，這兩種測試方法對產(chǎn)品的影響有巨大的差異。我一直采用后者測試，用16f914的產(chǎn)品怎么都過不了6KV，今天剛好又測了另一個16F73做的產(chǎn)品，同樣的測試方法15kV一點問題沒有(以前用16c54和16c57做的也輕松過)。這兩個產(chǎn)品都是我做的，硬件線路幾乎一樣，只是規(guī)格不同，功能有所增減罷了(主要是軟件上)。還是擺在面前的事實，不知這又如何解釋?

　　門外漢關注中～呵呵～

　　不過，從字面來看，如果是近距離放電火花的話，是不是牽涉到電磁波和電磁脈沖的問題，從而產(chǎn)生更大的干擾?我完全不懂的，隨口胡說的～

　　Apollo 說的串電阻的方法我知道，正在進行中，希望能解決，但是有一點我還是不明白，是什么原因導致F914和原來的F73之間的差異性，是工藝原因嗎?

　　呵呵，lijp8000 沒弄明白為什么可以不接那個104電容哦

　　設計的時候都是有的，只是實際焊接的時候，工程人員有是會偷懶去掉，但即使去掉，一般也沒什么大問題，因為本來是有等效電容存在的，另外，你的CONFIG要注意RST的配置，如果RST沒做別的用，就選擇內(nèi)部復位好了，此時只用一個電阻到VCC，也沒什么大問題了。

　　ESD測試中，你那兩種方法都需要用，那一種失效都不能說過了測試……

　　在一些數(shù)字輸入口的布線上，要適當加一點曲線，可變相等于串了一個小電感在上面，輸入口上一般限流電阻不要少，而且一般盡量靠近MCU部分，如果 PCB面積容許，在輸入口限流電阻前可適當考慮加個小電容到GND或者VCC

　　F73可能是0.5工藝，F(xiàn)913可能是0.35工藝，這是猜測，未經(jīng)證實。

　　至于你說的原來的F73通過，基本一樣的PCB，搞成F913就通不過的問題，呵呵，這讓俺想起很久以前的一個說法：PIC16F73簡直就是垃圾，一樣的PCB，用PIC16C73好好的，換成PIC16F73就很差……

　　呵呵，不同型號的MCU，可能薄弱環(huán)節(jié)不一樣，除非你原來的設計考慮得很周全，否則，可能在新的設計中，這個薄弱環(huán)節(jié)就露出來了……

　　其實你也不急，出現(xiàn)問題是好事情，這是提高自己的一次好機會，老不出現(xiàn)問題，人就變的懶惰了，就沒什么動力去研究問題了，呵呵，關于這段話，有點謬論了……