據(jù)臺灣媒體報道，芯片廠商聯(lián)發(fā)科將在明年推出Helio X30。與此同時為了提高10nm工藝產(chǎn)能，聯(lián)發(fā)科也希望同樣采用10nm制程工藝來研制Helio X35。這種策略和之前發(fā)布的Helio X25和X20非常相似，這也是為了滿足更多中高端智能手機需求。

　　聯(lián)發(fā)科Helio X35細節(jié)曝光：采用10nm工藝(圖片來自于谷歌)

　　此前，聯(lián)發(fā)科COO朱尚祖曾透露Helio X30將采用臺積電10nm工藝，基帶支持3載波聚合，Cat.10-Cat.12的全網(wǎng)通，GPU方案拋棄了ARM Mali，而是來自imagination的PowerVR。

　　至于其余方面的信息，根據(jù)之前曝光的情況來看，Helio X30仍然沿用2*A72+4*A75+4*A35的十核架構。其中，兩枚A72將直奔2.8GHz，A53以及A35的主頻也將直接提升到2.2GHz以及2.0GHz。同時，Helio X30將支持最高8GB的LPDDR4閃存，支持UFS 2.1標準。

　　目前仍然沒有具體的Helio X35架構信息，不過按照之前X20與X25的關系來看，新版Helio X35與X30在架構上應該沒有區(qū)別，但是在主頻方面可能會繼續(xù)提升，以便在性能上拉開差距。