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          淺談EOS機(jī)理與防護(hù)

          作者: 時間:2016-10-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          EOS英文全稱 Electrical Over Stress,是對所有的過度電性應(yīng)力的總稱。當(dāng)EOS超過其最大指定極限后,器件功能會減弱或損壞,同時EOS也是公認(rèn)的IC器件的頭號殺手。由于它可能發(fā)生在產(chǎn)品的研發(fā)、測試乃至生產(chǎn)、存儲、運(yùn)輸?shù)母鱾€環(huán)節(jié),所以對廠商的電路設(shè)計(jì),測試規(guī)范,生產(chǎn)流程以及物流中防護(hù)都有嚴(yán)格具體的要求,每年耗費(fèi)整個半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)十億美金的資金。更可恨的是,EOS的發(fā)生情況復(fù)雜,神出鬼沒,尋求一個完美的解決方案至今困擾著學(xué)術(shù)界和工業(yè)界。此文旨在分析EOS的成因,特點(diǎn),破壞力,以及對于芯片廠商和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的啟示。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201610/308063.htm

          EOS是一個非常廣的概念,物理上可以看成是一種較長時間的低電壓,大電流的能量脈沖(通常電壓500V,電流小于10A,納秒發(fā)生時間),可以認(rèn)定是EOS的一種特例。

          Figure.1 Versus ESD

          Table.1 EOS與ESD對比

          EOS成因很多,主要會出現(xiàn)在上下電瞬態(tài)過程,電流倒灌以及過度的電壓電流驅(qū)動(常說的過載)。通常造成的破壞都是由于器件過熱,損壞有三種類型。

          Figure.2 PN節(jié)擊穿

          Figure.3 金屬層熔斷

          Figure.4 金屬打線熔斷

          鑒于EOS的成因和特點(diǎn),成熟的系統(tǒng)廠商通常采用如下的防護(hù)方式。建立和規(guī)范工作流程,進(jìn)行常規(guī)的交流電源線監(jiān)控。

          電源

          √ 確保交流電源配備了瞬態(tài)電流抑制器(濾波器)

          √ 電源過壓保護(hù)

          √ 交流電源穩(wěn)壓器(可選)。

          √ 電源時序控制器,可調(diào)整時序

          √ 不共用濾波器和穩(wěn)壓器

          工作流程

          √ 將正確流程存檔。

          √ 確保針對以下內(nèi)容進(jìn)行培訓(xùn)并給出警示標(biāo)志

          電源開/關(guān)順序

          √ 不可“熱插拔”

          √ 正確的插入方向

          √ 定期檢查以確保遵守相關(guān)規(guī)定

          維護(hù)

          √ 定期進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。

          √ 確保接頭良好緊固,以防止其帶來間歇性故障。

          培訓(xùn)

          √ 確保對所有人員進(jìn)行培訓(xùn)并及時復(fù)習(xí)相關(guān)內(nèi)容。

          電路板或元件測試

          √ 確保不進(jìn)行熱切換。進(jìn)行測試時使用存儲范圍捕獲信號或電源的瞬態(tài)電流。

          √ 確保不出現(xiàn)峰值/低頻干擾。

          √ 確保正確設(shè)置測試參數(shù)(不會過壓)。

          √ 確保測試硬件中使用了正確的保險絲。

          帝奧微電子經(jīng)過總結(jié)多年的產(chǎn)品研發(fā),以及客戶支持的經(jīng)驗(yàn),在電路設(shè)計(jì)上做了很多ESD以及EOS芯片級防護(hù)措施創(chuàng)新。特別為國內(nèi)某著名電視機(jī)供應(yīng)商定制研發(fā)的DIO2113—2VRMS輸出語音線驅(qū)動,內(nèi)部集成有效的EOS防護(hù)電路,給對方節(jié)省了系統(tǒng)成本的同時增加了可靠性。

          Figure.5 DIO2113 Protection Demonstration



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