1 前言

電容傳感器在很多工業(yè)和消費類產(chǎn)品中都有非常廣泛的應(yīng)用，因其小尺寸和低功耗以及高精度等方面的特性，在很多領(lǐng)域廣受青睞。而對于電容傳感器的測量來說，傳統(tǒng)的電路方式有其無法克服的局限性。復(fù)雜的模擬電路設(shè)計，難以擴展的電容測量范圍，都會給開發(fā)帶來非常大的阻力。盡管存在一些所謂的簡單易用的電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器單芯片方案，但無論從價格，性能，和簡單程度上，還是會有諸多限制。

德國acam公司專利的PICOCAP®測量原理則給電容測量提供了革命性的突破。在2011年推出了最新的帶有內(nèi)部DSP單片機的單芯片電容測量方案PCAP01, 這個芯片會使電容測量提高到一個前所未有的水平。

2.概述

PCap01為帶有單片機處理單元的一款專門進行電容測量的電容數(shù)字轉(zhuǎn)換單芯片方案。這顆芯片測量范圍覆蓋了從幾fF到幾百nF，而且可以非常簡單的通過配置來滿足各種不同應(yīng)用的需求。PCap01既適合超低功耗最低至幾個uA的測量，也適合高精度達到21位有效位的高性能測量，還可以進行最高達50萬次每秒鐘的快速測量。這顆芯片提供了對于高精度測量,低功耗測量以及快速測量應(yīng)用的的完美結(jié)合。傳感器數(shù)據(jù)可以在芯片內(nèi)部進行現(xiàn)行校準(zhǔn)，然后通過SPI或者IIC數(shù)據(jù)串行接口進行傳送。另外，芯片還可以通過IO口來發(fā)送 PWM/PDM 輸出電壓信號。其余的IO口可以作為中斷管腳，水平報警信號管腳或者普通IO口來應(yīng)用。

PCap01 有非常小的QFN封裝尺寸，僅需要極少數(shù)量的外部元器件 (至少需要2個外部雙通電容) ，使整個系統(tǒng)的設(shè)計非常緊湊而且降低成本，適合很廣泛的電容測量。

3. PICOCAP 測量原理介紹

PICOCAP 測量原理展示了對于電容測量的新的革命性的方式。在這個原理中，一個傳感器的電容和一個參考電容被連接到同一個放電電阻，組成了一個Low-pass低通濾波。

電容首先被充電到電源電壓，然后通過電阻進行放電。而放電到一個可控制闞值電壓的水平將會被芯片內(nèi)部的非常高精度時間數(shù)字轉(zhuǎn)換器TDC所記錄下來。

這個測量過程將會在傳感器和參考電容上重復(fù)交錯進行，應(yīng)用同樣的電阻。計算的結(jié)果是測量的比值結(jié)果，是與電阻和比較器溫度相關(guān)性有關(guān)。傳感器和參考電容數(shù)值的選擇應(yīng)該為統(tǒng)一范圍來降低增益偏移。實踐角度講，對于被測電容沒有大小的限制。傳感器幾乎可以從0fF到幾十nf。PICOCAP同時也支持差動電容傳感器的測量帶有內(nèi)部的線性補償。

4. PCAP01芯片主要特點

Pcap01芯片為一顆單芯片電容測量方案，猶如下一些特性：

n

一顆芯片可以適合多種應(yīng)用，測量靈活性非常高:

a)

低測量功耗，在10Hz最低僅2 µA

b)

測量精度最高達 22 位有效位, 4 aF rms 精度

c)

測量頻率可以最高達500 kHz

n

非常寬的電容測量范圍, 從幾 fF 到上百nF

n

超低增益和offset漂移

n

18 位高分辨率溫度測量

n

48-位 DSP, 4k byte OTP, 4k byte SRAM

n

內(nèi)部或者外部時鐘振蕩

n

最多可以支持6個IO口

n

IIC, SPI, PWM, PDM 接口

n

寬的電源電壓范圍從2.1 V 到 3.6 V

n

寬操作溫度范圍( -40 °C到+125°C)

n

QFN32 或者 QFN24 封裝

內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖：

Pcap01發(fā)揮了PICOCAP®測量原理的高精度優(yōu)勢，使電容測量達到了一個前所未有的水平。根據(jù)傳感器和參考電容大小不同，以及所選擇的測量模式的不同，我們有如下測量數(shù)據(jù)。這個測量數(shù)據(jù)為典型測量噪聲精度vs.數(shù)據(jù)輸出頻率, 我們的測試是應(yīng)用Pcap01評估系統(tǒng)以及10pF參考電容和1pf的Span加載電容完成。芯片的電壓為 V = 3.0 V：

上面表格中可以

看到，我們分別給出了floating漂移模式和Grounded接地模式兩種情況。當(dāng)應(yīng)用漂移模式，完全補償?shù)那闆r下，在5Hz輸出時測量的RMS噪聲為6aF，測量有效位高達20.7位!在選擇不同測量頻率的不同設(shè)置情況下，精度和速度的相對關(guān)系在表格中給出。

當(dāng)然隨基礎(chǔ)電容大小不同，測量的有效分辨率也會有所不同。

當(dāng)應(yīng)用補償模式進行高精度測量時，可以使測量有非常低的增益和零點漂移。電容可以連接為接地，漂移模式。而傳感器和參考電容是通過內(nèi)部集成的模擬開關(guān)選擇到放電網(wǎng)路中。另外由于專利的電路和補償算法，內(nèi)部可以補償寄生電容。補償?shù)慕Y(jié)果可以達到在溫度范圍內(nèi)僅0.5 ppm /K 增益偏移。這比絕大多數(shù)傳感器本身內(nèi)部偏移要好得多。

傳感器連接的方式：

對于電容傳感器的測量，芯片提供了非常靈活的連接方式，對比典型的連接方式如下所示：

在芯片中用戶可以自己選擇是用內(nèi)部集成的放電電阻進行電容的測量，還是外接放電電阻來進行測量，連接的方式如下圖所示：

導(dǎo)線補償：

在電容測量當(dāng)中，導(dǎo)線的寄生電容對于整個測量的影響是不能夠忽略的。尤其當(dāng)導(dǎo)線較長的情況下，導(dǎo)線寄生電容的影響將會對測量結(jié)果有致命的影響。在Pcap01當(dāng)中，可以對傳感器的導(dǎo)線寄生電容進行有效補償：