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          關(guān)于MDK-NAND FLASH下載的若干問(wèn)題

          作者: 時(shí)間:2016-11-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          自前一個(gè)星期以來(lái),一直被無(wú)法下載編譯好的文件所困擾,直到今天,才把NAND flash下載的問(wèn)題解決了,其中有幾點(diǎn)作為要點(diǎn),特留下一筆.(其中還有許多問(wèn)題待解決,如燒寫(xiě)NOR FLASH還是出現(xiàn)了問(wèn)題,老是出現(xiàn)Contents missmatch at: 00000000H (Flash=3CH Required=0DH) !這樣的問(wèn)題)

          nand-flash下載:

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201611/316674.htm

          我的ARM板配置如下:

          CPU:S3C2410

          NAND FLASH:64M K9F1208

          NOR FLASH:1M AM29LV800BE

          SDRAM: 64M 2片HY57V561620

          在target下面:

          這個(gè)要根據(jù)實(shí)際硬件電路設(shè)置好,當(dāng)初,不明,弄錯(cuò)了,一直瞎搞,才弄了這么長(zhǎng)時(shí)間才搞定,

          在utilities下面的flash download setup里有一個(gè)ram for algorithm 不要設(shè)置錯(cuò)了,弄錯(cuò)了,也沒(méi)辦法燒寫(xiě)進(jìn)去,我就是因?yàn)檫@個(gè)原因,花了好長(zhǎng)時(shí)間,直接一次偶然的機(jī)會(huì),才搞定,現(xiàn)在想想真是幸運(yùn)啊.

          這應(yīng)該是三星內(nèi)存4KB設(shè)置.

          剩下的就是程序的燒寫(xiě)算法了,只要不弄錯(cuò),基本就不會(huì)錯(cuò)了.

          由于下載到NADN FLASH 所以還需要注意的是:

          調(diào)試命令文件(INI)用于使用軟件仿真和聯(lián)機(jī)測(cè)試時(shí),以下是幾個(gè)常用的命令,用戶(hù)可以根據(jù)調(diào)試需要來(lái)寫(xiě)自己的調(diào)試命令文件.
          pc=0x00000000
          令PC指向0x30000000處;(例程在RAM中運(yùn)行時(shí)指向0x30000000,如果在Flash中運(yùn)行則指向0x000)
          map 0x00000000, 0x04000000 READ WRITE exec
          指定某段存儲(chǔ)區(qū)域的屬性為可讀,可寫(xiě),可執(zhí)行;
          Go startaddr, stopaddr
          程序從startaddr開(kāi)始執(zhí)行,到stopaddr處停止;起始地址都可以缺省. 也可用函數(shù)名表示地址例如 G , main



          關(guān)鍵詞: MDK-NANDFLASH下

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