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          AVR單片機內部EEPROM詳解

          作者: 時間:2016-11-24 來源:網絡 收藏
          AVR單片機內部EEPROM詳解

          使用EEPROM倒是挺簡單的,無非是讀和寫操作,首先需要判斷是否在讀寫中,判斷讀寫忙標志,然后要保證讀寫時不能被打斷即要關中斷,接著要寫入到寫數(shù)據的地址,接著寫數(shù)據,再將地址和數(shù)據控制位置位下,數(shù)據就寫進了,最后別忘了開中斷。讀數(shù)據時,只要寫入地址,然后將讀控制位置位,再從寄存器EEDR中讀出數(shù)據即可。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201611/320647.htm

          以上用法是簡單用法,當然這種用法不能用在實際工程應用中的,因為寫數(shù)據需要8ms的時間,系統(tǒng)當然不允許一直等待這8ms的,在本文下面介紹了一種比較好的方式,來安排系統(tǒng)工作的時間。當然前提是要理解清楚最簡單的工作模式。

          一、簡單的工作模式

          void EEPROM_write(unsigned int uiAddress,unsigned char ucData)
          {
          while(EECR&(1< //判斷讀寫忙標志

          CLI();
          EEAR = uiAddress; //寫入地址
          EEDR = ucData; //送入數(shù)據
          EECR |=(1< //地址和寫控制位鎖存,即可
          EECR |=(1<

          SEI();
          }

          unsigned char EEPROM_read(unsigned int uiAddress)
          {
          while(EECR&(1< //判斷讀寫忙標志

          CLI();
          EEAR = uiAddress; //送入地址
          EECR |=(1< //讀位置位

          SEI();
          return EEDR;//返回數(shù)據
          }

          讀和寫的操作如下面所示 讀寫數(shù)據時要從0x01開始 ,00地址有bug(數(shù)據手冊上講的)

          temp=EEPROM_read(0x01);
          EEPROM_write(0x01,temp);

          二、提升篇-使用緩沖機構的操作

          思路是這樣的:首先建立讀寫緩沖區(qū),把需要寫的數(shù)據放入到寫緩沖區(qū)中,由于在AVR單片機中,寫一個數(shù)據時比較慢的大概要8ms吧,這么長的時間肯定不能一直while等下去,因此我們用中斷在處理,等單片機EEPROM程序寫好了就有ready中斷,這時就能讀寫操作了,寫的時候從寫緩沖區(qū)中取出數(shù)據,寫的時候要注意不允許讀,經過一段時間后就完成了,而且我們發(fā)現(xiàn)寫的時候只是把數(shù)據送入到單片機中的一個寄存器中,至于EEPROM什么時候來讀這個寄存器直至寫完,我們也沒有必要管他,因為他操作好了會中斷告訴我們,從而這8ms還可以用來執(zhí)行其它的程序了,就這樣直到所有的數(shù)據都寫完了。

          #pragma interrupt_handler vIvEeReady:iv_EE_READY
          void vIvEeReady(void)
          {
          if(!fgEepromBufEmpty()) //緩沖區(qū)數(shù)據還沒完全寫到EPPROM中
          {
          CLI(); //寫的時候不希望有別的中斷
          EEAR = _sEepromBuf[_bEepromBufRdPtr].wAddress;
          EEDR = _sEepromBuf[_bEepromBufRdPtr].bVal; //數(shù)據寫入
          EECR |= BIT(EEMWE);
          EECR |= BIT(EEWE);
          SEI(); //寫好這個就打開,盡可能滿足實時性
          _bEepromBufRdPtr++; //指向下一個緩沖數(shù)據
          if(_bEepromBufRdPtr >= EEPROM_WRITE_BUF_SIZE) //到了緩沖區(qū)頂了
          {
          _bEepromBufRdPtr = 0; //從頭部開始計數(shù)
          }
          _bEepromBufNs--; //當前還沒有寫入EEPROM的數(shù)
          }
          else
          {
          EECR &= ~BIT(EERIE); //都寫好了就把中斷關閉掉
          }
          }


          uchar bWriteData2Eeprom(uint wAddress, uchar bVal)
          {
          if(fgEepromBufFull()) //是否達到緩沖定義的最大值
          {
          return RET_BUSY;
          }

          CLI(); //關中斷?這里應該放在中斷函數(shù)里面的
          _sEepromBuf[_bEepromBufWrPtr].wAddress = wAddress;
          _sEepromBuf[_bEepromBufWrPtr].bVal = bVal;
          _bEepromBufWrPtr++;
          if(_bEepromBufWrPtr >= EEPROM_WRITE_BUF_SIZE) //寫滿了就從頭開始寫
          { //需要保證數(shù)據不丟失
          _bEepromBufWrPtr = 0;
          }
          _bEepromBufNs++; //寫一個計數(shù)就加一下
          EECR |= BIT(EERIE); //寫一個數(shù)據后這里打開了中斷
          SEI();

          return RET_SUCCESS;
          }


          // Notice! The programer must ensure the EEPROM is NOT in writing state.
          uchar bReadDataFromEeprom(uint wAddress, uchar *pbVal)
          {
          if(EECR & BIT(EEWE)) //沒有在寫時才能讀取,一般放在程序開始時
          {
          return RET_BUSY;
          }

          EEAR = wAddress; //送入地址
          EECR |= BIT(EERE); //讀鎖存
          *pbVal = EEDR; //取出數(shù)據
          return RET_SUCCESS; //讀取成功
          }


          BYTE bGetEepromWrBuf(void)
          {
          return _bEepromBufNs; //讀取當前剩余的沒寫入的數(shù)據
          }


          void bClrEepromBuf(void)
          {
          CLI();
          _bEepromBufNs = 0;
          _bEepromBufRdPtr = _bEepromBufWrPtr;
          EECR &= ~BIT(EERIE);
          SEI();
          }


          BOOL fgEepromWizard(void)
          {
          BOOL fgRet = FALSE;

          return fgRet;
          }


          void vInitEeprom(void)
          {
          EECR = 0x00; //EEPROM控制寄存器清零
          _bEepromBufWrPtr = 0; //讀寫指針和數(shù)據計數(shù)清零
          _bEepromBufRdPtr = 0;
          _bEepromBufNs = 0;
          }



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