AUIRB24427S在整個溫度范圍內(nèi)為每個通道提供超過6A的高輸出電流，用于驅(qū)動采用模塊和分立封裝的大尺寸IGBT和MOSFET的柵極。由于該器件在開/關(guān)模式中的輸出阻抗極低，功耗也非常低，因而可以在嚴(yán)苛環(huán)境和高溫環(huán)境中操作，比如在混合動力電動汽車的電源級作為初級側(cè)或次級側(cè)驅(qū)動器。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“AUIRB24427S采用簡便的PSOIC-8N封裝，具有超低功耗的特點，可有效驅(qū)動用于大功率開關(guān)電源的大尺寸IGBT和MOSFET，與市場上現(xiàn)有的分立式解決方案相比，可提供更為小巧、簡便而堅固的解決方案。”

AUIRB24427S 可用于耐熱增強型PSOIC-8N封裝，與標(biāo)準(zhǔn)的DIL SMD封裝相比，它能提供更高的熱耗散性能，便于在更高的環(huán)境溫度里操作。另外，軌到軌輸出級在高側(cè)使用P溝道MOSFET時，可以實現(xiàn)內(nèi)部低壓差以減少功耗。在環(huán)境溫度為125℃時，AUIRB24427S 的最大源極/汲極輸出電阻可以達到650mΩ。