2GHz WCDMA終端設(shè)備射頻測(cè)試介紹(六)
本期摩爾實(shí)驗(yàn)室(MORLAB)就將繼續(xù)為您介紹2GHz WCDMA終端設(shè)備射頻測(cè)試之鄰道泄漏功率比和雜散發(fā)射這兩項(xiàng)測(cè)試。
(一)鄰道泄漏功率比
鄰信道泄漏功率比(ACLR)是用于衡量WCDMA終端的發(fā)射性能。其定義為主信道的發(fā)射功率與測(cè)得的相鄰RF信道功率之比。該測(cè)試可以在綜測(cè)儀(Agilent 8960或CMU200)上直接測(cè)量,一般要求測(cè)試對(duì)高(9887)、中(9750)、低(9613)三個(gè)信道進(jìn)行測(cè)試。所有測(cè)試要求還需在極限條件下進(jìn)行重復(fù),包括高低溫和高低電壓的各種組合。
1.測(cè)試目的:
驗(yàn)證基于調(diào)制的UE的鄰道泄露功率比(ACLR)值不超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)要求,避免超過(guò)指標(biāo)要求的ACLR會(huì)增加對(duì)其他信道或其他系統(tǒng)的干擾。
2.測(cè)試條件:
1)使用射頻線將手機(jī)和系統(tǒng)模擬器連接,需要注意RF線的補(bǔ)償。
2)按照通用呼叫建立過(guò)程建立一個(gè)呼叫;
3)將UE置于環(huán)回測(cè)試模式進(jìn)行測(cè)試。
3.測(cè)試步驟:
1)設(shè)置連續(xù)上升TPC命令使得UE的輸出功率達(dá)到最大;
2)用帶寬為當(dāng)前載頻的匹配濾波器測(cè)試功率;
3)用根升余弦匹配濾波器測(cè)試第一和第二相鄰信道的功率;
4)計(jì)算(3)測(cè)試值與(2)測(cè)試值的比值;
4.限值要求
5.測(cè)試結(jié)果舉例:
(二)雜散發(fā)射
傳導(dǎo)雜散發(fā)射測(cè)試一般需要在射頻測(cè)試系統(tǒng)上進(jìn)行,此項(xiàng)測(cè)試需要用到基站模擬器、頻譜分析儀、主頻陷波器、帶通濾波器和衰減器等。單臺(tái)綜測(cè)儀是無(wú)法完成此項(xiàng)測(cè)試的。
該測(cè)試要求在常壓和高、低電壓下進(jìn)行,測(cè)試信道仍為上述3個(gè)信道,這點(diǎn)與GSM相關(guān)規(guī)范有點(diǎn)區(qū)別,因?yàn)镚SM終端只要求測(cè)試中間信道的傳導(dǎo)雜散。測(cè)試時(shí)被測(cè)終端設(shè)備處于最大發(fā)射功率狀態(tài)。
1.測(cè)試目的
驗(yàn)證UE雜散輻射值不超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)要求,避免超過(guò)指標(biāo)要求的雜散輻射增加對(duì)其他系統(tǒng)的干擾。
2.測(cè)試條件
1)按照下圖建立UE天線連接器與系統(tǒng)模擬器的連接;
2)按照通用呼叫建立過(guò)程建立一個(gè)呼叫;
3)將UE置于回環(huán)測(cè)試模式下進(jìn)行測(cè)試。
3.測(cè)試方法
1)設(shè)置設(shè)置連續(xù)上升TPC命令使得UE的輸出功率達(dá)到最大;
2)在規(guī)定的頻率范圍上用頻譜分析儀測(cè)試雜散的平均功率;
4.測(cè)試限值
5.測(cè)試結(jié)果舉例
以上是摩爾實(shí)驗(yàn)室(MORLAB)關(guān)于WCDMA射頻測(cè)試的鄰道泄漏功率比和雜散發(fā)射兩項(xiàng)測(cè)試的簡(jiǎn)單介紹,歡迎關(guān)注后續(xù)更多射頻測(cè)試介紹。
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