1 前言
     相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，電信設(shè)備必須能夠耐受浪涌和電源故 障。通過提供遠(yuǎn)程或設(shè)備終端保護(hù)，或者兩者同時(shí)實(shí)施，便 可以實(shí)現(xiàn)耐受性。此外，制造更可靠耐用的設(shè)備也可配合或 替代遠(yuǎn)程或設(shè)備終端保護(hù)來實(shí)現(xiàn)保護(hù)。
在規(guī)劃電信設(shè)備的電路保護(hù)策略時(shí)，重要的是考慮整個(gè) 系統(tǒng)。為了降低成本，可能會縮減保護(hù)方案的能力，但是必 須使用更可靠的其它部件來補(bǔ)償這一點(diǎn)。然而，在這種情況 下增強(qiáng)下游部件可靠性的成本，可能超過采用穩(wěn)健性較差的 保護(hù)器所節(jié)約的成本。有效的設(shè)計(jì)將會優(yōu)化這些折衷平衡。

2 VDSL設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)
甚高速數(shù)字用戶線路(ver y-high-speed digital subscriber line, VDSL)技術(shù)能夠支持高達(dá)52Mb/s的信息傳輸速率。標(biāo)準(zhǔn) VDSL部署利用高達(dá)12MHz的頻譜，而VDSL2允許選擇采用

圖1   試驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示不同過電壓保護(hù)配置的電容效應(yīng)  

圖2  協(xié)同電路保護(hù)方案幫助減少允通能量
高達(dá)30MHz的頻譜。
VDSL的能力取決于運(yùn)營商和終端客戶設(shè)備之間的距 離，以及現(xiàn)有銅纜的條件和銅纜外面的銅基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)環(huán) 路條件，VDSL能夠支持變化的比特率和高帶寬服務(wù)，比如 在電話銅纜線對上傳輸?shù)腍DTV節(jié)目頻道。
由于VDSL設(shè)備與公用電話交換網(wǎng)(PSTN)的銅基礎(chǔ)設(shè)施 連接，使得設(shè)備可能暴露于交流電力搭碰、電力線感應(yīng)和雷 電浪涌引起的過電流和過電壓危害。

3 降低插入和回程損耗
隨著VDSL2的出現(xiàn)，信號頻率從10MHz升高到30MHz， 使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員面臨許多新的挑戰(zhàn)。最重要的問題是降低 高速應(yīng)用中的插入和回程損耗，以及減少這些損耗對有效傳 輸距離和速率的影響。
用于保護(hù)系統(tǒng)的器件可能導(dǎo)致系統(tǒng)插入損耗增加，因此VDSL的頻譜上限和過電壓保護(hù)設(shè)備的電容都是不容忽視 的問題。有見及此，TE Connectivity(TE)已經(jīng)完成了VDSL應(yīng)
用中低電容晶閘管和GDT的信號損耗對比試驗(yàn)。

圖3  GDT和晶閘管在4kV電壓水平下的試驗(yàn)結(jié)果
圖1說明電容對幾種過電壓保護(hù)配置的插入損耗的影 響。圖中顯示低電容GDT(1pF)的插入損耗最低，而標(biāo)準(zhǔn)50A 晶閘管(50V DC偏壓時(shí)電容為15pF)和100 A微電容器件(50V DC偏壓時(shí)電容為20pF)的插入損耗略高。
該試驗(yàn)圖中所示插入模塊由230V 3極GDT或兩個(gè)270V
串聯(lián)晶閘管組成，它們與兩個(gè)0.3m Cat 5e雙絞線對連接。
采用配備兩個(gè)North Hills的0301BB 50:100Ohm寬頻帶變 壓器的Agilent 8753ES矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行插入損耗測定。
變壓器用于測量100Ohm阻抗條件下(等于VDSL頻譜的 線路阻抗)的模塊插入損耗。采用HP 4195低頻阻抗分析儀測 定1MHz在無偏壓條件下的電容。

4 實(shí)施VDSL低電容解決方案
圖2電路圖顯示了一個(gè)有效降低電容和允通能量(energylet-through)，并且優(yōu)化了電路保護(hù)方案的VDSL解決方案。
如該電路圖所示，GDT1提供了一級保護(hù)(350V- 1000V)。
G DT 2 和 G DT 3 器 件 與 晶 閘 管 串 聯(lián) 連 接 。 在 這 種 情 況 下，晶閘管幫助降低GDT的擊穿電壓，并且降低浪涌時(shí)的 允通能量。通過將高電容晶閘管與低電容GDT串聯(lián)來降低 總體電容。TE的PolySwitch聚合物正溫度系數(shù)(PPTC)器件幫 助協(xié)調(diào)一級保護(hù)和二級保護(hù)。
圖3顯示GDT-晶閘管組合在雷擊時(shí)的性能表現(xiàn)( 4kV、 ITU K.20 10/700μS浪涌)。示波器觀察顯示GDT和晶閘管組 合的擊穿電壓是392V。值得指出的是，GDT的擊穿電壓是
330V，晶閘管的擊穿電壓是250V。在這種情況下，動態(tài)擊 穿電壓由GDT決定。

5 總結(jié)
GDT通常用于幫助保護(hù)敏感電信設(shè)備不受雷擊和設(shè)備 開關(guān)運(yùn)作引起的瞬態(tài)浪涌電壓的損害。GDT放在敏感設(shè)備 的前部和與其并聯(lián)，可以充當(dāng)高阻抗部件，而并不影響正常 運(yùn)作的信號。由于GDT的電容低，所以其插入損耗低于許 多其它過電壓保護(hù)技術(shù)器件。
由于GDT具有快速且準(zhǔn)確的擊穿電壓特性，因此適合 用于總配線架(MDF)模塊、高數(shù)據(jù)率電信應(yīng)用(例如VDSL和 xDSL)以及及電力線浪涌保護(hù)等應(yīng)用。當(dāng)與PPTC器件和晶閘 管一起用于協(xié)同保護(hù)方案時(shí)，它們能夠幫助設(shè)備生產(chǎn)商滿足 最嚴(yán)苛的監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)要求。
與任何類型的保護(hù)方案一樣，解決方案的有效性取決 于個(gè)體布局、主板類型、特定部件及獨(dú)特的設(shè)計(jì)考慮。大多 數(shù)電路保護(hù)器件生產(chǎn)商可與OEM客戶一起合作，幫助確定
和實(shí)施最佳保護(hù)方案。