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          ROHM PrestoMOS實(shí)現(xiàn)業(yè)界最快600V超級結(jié)

          作者: 時間:2017-07-24 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            近年來,節(jié)能化趨勢日益加速,家電節(jié)能的標(biāo)準(zhǔn)不斷修訂,相比傳統(tǒng)關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動時和額定條件下的節(jié)能,近年來要求負(fù)載較小的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時更節(jié)能的趨勢日益高漲。據(jù)稱,在全球的電力需求中,近50%被用于驅(qū)動電機(jī),隨著空調(diào)在新興國家的普及,全球的電力局勢逐年嚴(yán)峻。在這種背景下,開發(fā)出,非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動,可大大降低應(yīng)用正常運(yùn)轉(zhuǎn)時的功耗,滿足了社會的節(jié)能需求。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201707/362093.htm

            作為家電用MOSFET的領(lǐng)導(dǎo)者,的高速trr型600V 超級結(jié)MOSFET 產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”,非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動。是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET,以業(yè)界最小的開關(guān)損耗著稱。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評。

            一般MOSFET具有高速開關(guān)和低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)點(diǎn),設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時可有效降低功耗?!癛60xxMNx系列”利用獨(dú)有的Lifetime控制技術(shù),不僅保持了業(yè)界最快trr性能,而且Ron和Qg更低,非常有助于變頻電路的節(jié)能。在保障性能的同時,安全性也得到進(jìn)一步提升,通常,一旦發(fā)生短路,即具有電路誤動作、流過超出設(shè)計(jì)值的大電流、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性。一直以來,因性能與短路之間的制約關(guān)系,確保超強(qiáng)的短路耐受能力是非常困難的,而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢,對熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進(jìn)行了優(yōu)化,可確保電機(jī)驅(qū)動所必須的短路耐受能力,有助于提高應(yīng)用的可靠性。

            自導(dǎo)通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下,高邊主開關(guān)一旦導(dǎo)通,則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加,電壓被柵極感應(yīng),柵極電壓上升,MOSFET誤動作。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過優(yōu)化寄生電容,可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi)。

            此次開發(fā)的“R60xxMNx系列”作為ROHM MOSFET產(chǎn)品序列中的高速Trr產(chǎn)品家族,通過優(yōu)化ROHM獨(dú)有的芯片結(jié)構(gòu),在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎(chǔ)上,還成功地使Ron和Qg顯著降低。由此,在變頻空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動的應(yīng)用中,輕負(fù)載時的功率損耗與以往的IGBT相比,降低約56%,節(jié)能效果非常明顯。

            不僅如此,“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢,還實(shí)現(xiàn)了超強(qiáng)的短路耐受能力,減輕了因電路誤動作等導(dǎo)致的異常發(fā)熱帶來的破壞風(fēng)險(xiǎn),有助于提高應(yīng)用的可靠性。



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