7月28日，在《中國電子報》主辦的第十屆“中國MCU優(yōu)秀企業(yè)評選”中，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)憑借“0.11微米超低功耗雙柵型嵌入式閃存技術(shù)平臺(0.11um Ultra Low Leakage Dual Gate Platform)”榮獲“2017優(yōu)秀MCU制造工藝平臺”獎，充分印證了其在微控制器(MCU)市場的強大競爭力。

　　MCU市場迅速發(fā)展，其應(yīng)用領(lǐng)域也愈發(fā)廣泛：物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能電網(wǎng)、醫(yī)療電子設(shè)備、智能照明、工業(yè)及汽車電子設(shè)備等，MCU的功能正不斷豐富和提高著。而華虹宏力擁有全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲器技術(shù)，具體包括嵌入式Flash/EEPROM/OTP/MTP等，產(chǎn)品應(yīng)用覆蓋高、中、低端MCU芯片，為MCU設(shè)計公司提供了多種方案和選擇。

　　此次獲獎的0.11微米超低功耗雙柵型嵌入式閃存技術(shù)平臺最大特點是可在同一工藝中集成數(shù)?；旌霞夹g(shù)、嵌入式存儲技術(shù)及低成本的CMOS射頻技術(shù)，24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC(System-on-a-Chip)芯片，具備更小的面積、更低的功耗和更強的可靠性等顯著優(yōu)勢，還能降低設(shè)計、制造和測試成本。專為物聯(lián)網(wǎng)打造的0.11微米超低功耗(ULL)嵌入式eFlash及eEEPROM工藝平臺擁有豐富多樣的嵌入式存儲器IP，同時也提供高密度存儲器編輯器(Memory Complier)和標準單元庫，可為客戶度身定制性價比優(yōu)越、全面靈活的解決方案，加速客戶產(chǎn)品上市時間。

　　華虹宏力執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“經(jīng)過多年的不懈努力，MCU已成為我們最大的業(yè)務(wù)分支。多家客戶已在0.11微米超低功耗雙柵型嵌入式閃存技術(shù)平臺上成功量產(chǎn)，公司基于該平臺的銷售收入在2016年已有超過40%的增長，未來更可期強勁成長。華虹宏力將持續(xù)創(chuàng)新，計劃將未來MCU產(chǎn)品逐步導(dǎo)入更具有競爭力的90納米和95納米嵌入式非易失性存儲器工藝平臺，并不斷擴展MCU代工組合，為客戶提供最佳的MCU解決方案?！?/p>

　　獲獎證書