由于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等新需求浮現(xiàn)，2017年部份半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈出現(xiàn)缺貨情況，不僅上游硅晶圓及導(dǎo)線架等材料缺貨，包括DRAM、NANDFlash、NORFlash亦同步缺貨，另微控制器(MCU)、金氧半場效電晶體(MOSFET)也因缺貨而拉長交期或順勢漲價，供需失衡的景象難得一見。

　　2018年即將到來，硅晶圓及導(dǎo)線架仍供不應(yīng)求，價格將持續(xù)調(diào)漲，DRAM、MOSFET缺貨情況難獲紓解，MCU交期雖然可望因進(jìn)入淡季而縮短，但普遍來看交期仍長達(dá)3個月，比正常安全庫存時期高出1～1.5個月。至于NAND/NORFlash則因新產(chǎn)能開出，缺貨壓力將獲得紓解。

　　以半導(dǎo)體硅晶圓來看，由于主要供應(yīng)商近幾年沒有擴(kuò)產(chǎn)，今年正好遇到半導(dǎo)體廠晶圓產(chǎn)能大量開出，2017年全年處于缺貨情況，2018年也將供不應(yīng)求;為確保2018年硅晶圓供貨無虞，全球半導(dǎo)體大廠采預(yù)付訂金方式確保明年貨源，價格則每季調(diào)漲。法人看好環(huán)球晶圓、合晶、嘉晶、臺勝科等硅晶圓供應(yīng)商營運(yùn)。

　　半導(dǎo)體導(dǎo)線架同樣面臨缺貨問題。由于國際IDM廠全力搶攻汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)市場，對導(dǎo)線架需求大增，但主要供應(yīng)商近年來持續(xù)整并，今年下半年供應(yīng)已吃緊，明年上半年亦將小幅缺貨，價格可望續(xù)漲，對于長華科、界霖等供應(yīng)商十分有利。

　　存儲器部份，DRAM下半年缺貨嚴(yán)重，明年上半年將持續(xù)缺貨，雖然業(yè)者有意提高產(chǎn)能，不過新產(chǎn)能開出時間將落在明年底及后年初，所以2018年上半年DRAM位元供給成長只能依靠1x納米升級，整體來看還是供不應(yīng)求，價格持續(xù)看漲，南亞科、華邦電、威剛等將持續(xù)受惠。

　　NANDFlash及NORFlash明年上半年缺貨情況則可獲得紓解。包括三星、東芝、SK海力士、美光等下半年加快3DNAND產(chǎn)能及技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率已持續(xù)提升，明年產(chǎn)能開出后就可充足供貨。NORFlash同樣因長江儲存及中芯國際產(chǎn)能開出，加上力晶投入代工市場，明年上半年產(chǎn)能增加，需求端則進(jìn)入傳統(tǒng)淡季，市況可望趨于供需平衡。

　　至于MCU市場，由于汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)大量導(dǎo)入MCU架構(gòu)，但包括意法、德儀、瑞薩等IDM廠產(chǎn)能不足因應(yīng)需求，導(dǎo)致交期大幅拉長至3個月以上，部份缺貨嚴(yán)重的料號交期更長達(dá)半年。隨著終端需求明年上半年進(jìn)入淡季，加上晶圓代工產(chǎn)能支援，交期可望縮小至3個月以內(nèi)，但仍較安全交期的1～1.5個月長，盛群、新唐則受惠轉(zhuǎn)單，明年上半年?duì)I運(yùn)將淡季不淡。

　　國際IDM廠陸續(xù)淡出電腦及消費(fèi)性電子的中低壓MOSFET市場，產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至汽車電子中高壓MOSFET市場，或是轉(zhuǎn)向量產(chǎn)絕緣閘雙極電晶體(IGBT)或超接面(SuperJunction)元件，所以中低壓MOSFET下半年嚴(yán)重缺貨，明年上半年因無新產(chǎn)能支援，仍會維持供不應(yīng)求情況，但缺貨缺口會縮小，法人看好尼克森、大中、富鼎等營運(yùn)表現(xiàn)。