當(dāng)前我國(guó)正在大力開(kāi)展5G技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化的前沿布局，在5G芯片領(lǐng)域取得積極進(jìn)展，技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程不斷加快。一方面我國(guó)政府高度重視5G芯片的發(fā)展，中國(guó)制造2025、"十三五"國(guó)家信息化規(guī)劃、信息通信行業(yè)發(fā)展規(guī)劃、國(guó)家科技重大專項(xiàng)、工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)資金、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等為5G芯片的發(fā)展提供良好的支撐環(huán)境。另一方面我國(guó)企業(yè)和科研院所圍繞5G芯片積極布局，華為海思、展訊等企業(yè)正在加快5G基帶芯片研發(fā)進(jìn)程;PA、濾波器等5G高頻器件的研發(fā)也已陸續(xù)展開(kāi);三安光電、海特高新等企業(yè)在化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域有所突破。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期積累，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在移動(dòng)芯片領(lǐng)域已取得巨大進(jìn)展，但5G面臨的瓶頸問(wèn)題依然突出。

　　第一，關(guān)鍵核心技術(shù)缺失

　　國(guó)內(nèi)5G 芯片產(chǎn)品研發(fā)面臨國(guó)外專利封鎖，部分關(guān)鍵核心技術(shù)缺失，如國(guó)外射頻芯片和器件技術(shù)已經(jīng)非常成熟，尤其是面向高頻應(yīng)用的BAW和FBAR 濾波器，博通、Qorvo 等企業(yè)已有多年技術(shù)積累，我國(guó)BAW和FBAR專利儲(chǔ)備十分薄弱，自主研發(fā)面臨諸多壁壘。

　　第二，制造水平依然落后

　　國(guó)內(nèi)5G 芯片缺乏成熟的商用工藝支撐，整體落后世界領(lǐng)先水平兩代以上。砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體代工市場(chǎng)主要被穩(wěn)懋、宏捷科技等臺(tái)灣大廠壟斷;格羅方德、TowerJazz等廠商則在鍺硅和絕緣硅材料工藝方面技術(shù)領(lǐng)先。

　　第三，產(chǎn)業(yè)配套有待完善

　　5G 芯片關(guān)鍵裝備及材料配套主要由境外企業(yè)掌控。設(shè)備方面，制造化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵核心設(shè)備MOCVD仍主要被德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)和美國(guó)Veeco 所壟斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)正在積極突破。材料方面，以日本住友為代表的企業(yè)在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯;法國(guó)Soitec 和日本信越等企業(yè)在SOI 晶圓材料市場(chǎng)占有率較高;封裝用的高端陶瓷基板材料基本都是從日本和臺(tái)灣地區(qū)進(jìn)口。

　　第四，產(chǎn)業(yè)生態(tài)亟需營(yíng)造

　　當(dāng)前我國(guó)5G芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及裝備材料配套等產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同性不足，通信設(shè)備整機(jī)廠商和國(guó)外芯片廠商之間的合作慣性一時(shí)還難以打破，國(guó)內(nèi)芯片缺乏與軟件、整機(jī)設(shè)備、系統(tǒng)應(yīng)用、測(cè)試儀器儀表等產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)節(jié)的緊密互動(dòng)。