盡管集成電路發(fā)展成本不斷上升，廠商仍不忘初心大步向前，成績(jī)斐然。

　　而集成電路的成功普及很大程度上取決于IC制造廠商能否持續(xù)改善性能、增加功能。隨著主流CMOS工藝的理論、物理和經(jīng)濟(jì)趨近極限，降低集成電路的成本(按功能或者性能計(jì)算)與不斷發(fā)展的技術(shù)、和晶圓制造工藝息息相關(guān)。而IC設(shè)計(jì)和制造廠商在這方面也煞費(fèi)苦心，比如: 縮小特征尺寸、引進(jìn)先進(jìn)材料和改善晶體管結(jié)構(gòu)、擴(kuò)大硅晶圓直徑、提高晶圓廠產(chǎn)能、提高工廠自動(dòng)化程度、電路和芯片三維集成、先進(jìn)的IC封裝和調(diào)整系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)方法等。

　　如圖所示，對(duì)于邏輯工藝方面, 各公司選擇最先進(jìn)的工藝來制造高性能微處理器、低功耗應(yīng)用處理器和其他使用14nm 和10nm 的先進(jìn)邏輯器件。各家晶圓代工廠商工藝更加多樣化，而且各家標(biāo)準(zhǔn)不一，這就給公平有效地評(píng)估不同廠商的工藝造成了困難。而且，每一代主要的工藝節(jié)點(diǎn)之間的衍生版本和改進(jìn)版本越來越常見，例如10nm和14nm之間的12/16nm工藝就是一個(gè)過渡性半代工藝節(jié)點(diǎn)。

　　回首過去的五十年，盡管前方困難重重，但整個(gè)行業(yè)在IC技術(shù)的生產(chǎn)率和性能方面都得到了指數(shù)式的增長(zhǎng)。但現(xiàn)在，保持這種指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)趨勢(shì)變得越來越困難，各種限制也越來越嚴(yán)格：縮小特征尺寸, 增大晶圓直徑, 良率提升等方面均逼近物理或同級(jí)極限，通俗地說都有經(jīng)濟(jì)限制。因此, 在取得重大技術(shù)突破解決問題之前, IC公司還得繼續(xù)從現(xiàn)有工藝中尋找剩余價(jià)值。

　　不斷增長(zhǎng)的設(shè)計(jì)、制造挑戰(zhàn)和成本將IC產(chǎn)業(yè)分為了"有產(chǎn)者"和"無(wú)產(chǎn)者"。

　　在1999年6月的McClean Report更新版中, IC Insights 首先提出了"倒金字塔"理論。當(dāng)時(shí)報(bào)告指出, IC行業(yè)正處于一個(gè)新時(shí)代的早期階段, 戲劇性的重組和變革是大勢(shì)所趨。各種集成電路產(chǎn)品部分的市場(chǎng)份額構(gòu)成變得"頭重腳輕", 占有有力地位廠商占有絕大部分市場(chǎng)份額，幾乎沒有留給剩余競(jìng)爭(zhēng)者的空間。盡管后期在更新報(bào)道中再次描述了從市場(chǎng)份額的角度所出現(xiàn)的倒金字塔現(xiàn)象, 但在IC工藝開發(fā)和制造能力方面確實(shí)發(fā)現(xiàn)有類似趨勢(shì)。該行業(yè)已經(jīng)發(fā)展到只有鳳毛麟角的公司有能力開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)并制造先進(jìn)集成電路的地步。