作者/Stephen Oliver 銷售及營銷副總裁

對納微(Navitas)公司和半導(dǎo)體行業(yè)而言，伴隨著寬帶隙技術(shù)將取代舊式硅器件，這將是一個(gè)動(dòng)態(tài)變化的時(shí)代。平面GaN器件正在取代高達(dá)650V和5kW的Si FET器件，而在更高電壓和功率水平應(yīng)用中，垂直SiC部件取代Si IGBT。納微通過全新的高成本效益GaNFast解決方案，著手解決價(jià)值300億美元的Si FET和驅(qū)動(dòng)器市場需求。

FET、驅(qū)動(dòng)器和邏輯電路的單片集成，全部采用650V GaN工藝，從而實(shí)現(xiàn)許多軟開關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。這意味著Navitas GaNFast器件和參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了前所未有的小尺寸、低重量和高效率水平，為從智能手機(jī)和平板電腦到筆記本電腦，監(jiān)視器和游戲系統(tǒng)等終端產(chǎn)品帶來快速充電速度。最近納微公司在美國圣安東尼奧的APEC會(huì)議上宣布推出世界上最小的27W USB-PD快速充電器和世界上最薄的通用適配器。