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          flash存儲器在線編程詳解

          作者: 時間:2018-07-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          技術(shù)趨于成熟,應(yīng)用廣泛,它結(jié)合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲器。具有電可擦除、無需后備電源來保護(hù)數(shù)據(jù)、可、存儲密度高、低功耗、成本較低等特點(diǎn)。一般我們都認(rèn)為Flash儲存器具備固有不揮發(fā)性、易更新性,可靠性好的基本特性。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201807/383765.htm

          從 Flash儲存器的基本特點(diǎn)可以看出,在單片機(jī)中,可以利用F1ash存儲器固化程序,一般情況下通過程器來究成F1ash存儲器工作于這種情況,叫監(jiān)控模式( Monitor mode)或?qū)懭肫髌迨?,這與一般的 EPROM、0TP、 EEPROM裝入程序的含義相似。另一方面,由于 具有電可擦除功能,因此,在程序運(yùn)行過程中,有可能對F1ash存儲區(qū)的教據(jù)或程序進(jìn)行更新, Flash存儲器工作于這種情況,叫用戶模式式( User mode)或模式。

          Flash儲存器的兩種程模式:1、監(jiān)控模式或?qū)懭肫髂J? 2、用戶模式或模式,兩種模式各有優(yōu)缺點(diǎn):監(jiān)控模式需要外部硬件支持,但不需要單片機(jī)內(nèi)部程序的存在,所以適合對新出廠芯片進(jìn)行編程寫入,或是對芯片進(jìn)行整體擦除與寫入;用戶模式可以在單片機(jī)正常工作時進(jìn)入,所以常用在程序運(yùn)行過程中對部分Flash存儲器的一些單元內(nèi)容進(jìn)行修改,特別適合于目標(biāo)系統(tǒng)的動態(tài)程序更新和運(yùn)行數(shù)據(jù)的存儲。一般來說,兩種模式對Flash存儲器的編程操作的程序是一致的,差別在于調(diào)用這些程序的方式和環(huán)境。

          下面我們來詳細(xì)講解下Flash儲存器在線編程模式

          對Flash編程的基本操作有兩種:擦除(Erase)和寫入(Program)。擦除操作的含義是將存儲單元的內(nèi)容由二進(jìn)制的0變成1,而寫入操作的含義,是將存儲單元的內(nèi)容由二進(jìn)制的1變成0。擦除及寫入操作都是通過設(shè)置或清除Flash存儲器的控制寄存器(FLCR)中的某個或某些位來完成的。

          Flash命令的執(zhí)行流程


          GP32單片機(jī)Flash存儲器在線編程匯編語言實(shí)例

          首先給出GP32單片機(jī)的Flash編程子程序,隨后給出在用戶模式下進(jìn)行Flash在線編程的實(shí)例,并通過與PC機(jī)串行通信方式進(jìn)行驗(yàn)證,PC方采用VB語言編程。

          1 Flash存儲器的擦除及寫入?yún)R編子程序

          由于GP32單片機(jī)內(nèi)部的監(jiān)控ROM中沒有固化Flash編程子程序,要在運(yùn)行中能對Flash進(jìn)行在線編程,初始裝入的用戶程序,必須包含對Flash的擦除及寫入子程序。由于程序駐留Flash區(qū),在運(yùn)行擦除及寫入子程序時,整個Flash區(qū)會被加上高于普通工作電壓的編程電壓,致使對Flash區(qū)讀取不穩(wěn)定,可能導(dǎo)致程序不能正常執(zhí)行。為了使擦除、寫入程序正常執(zhí)行,需將擦除、寫入子程序移入RAM中并轉(zhuǎn)入RAM區(qū)執(zhí)行。為此,需在RAM區(qū)開辟一個緩沖區(qū),供程序移入使用。下圖給出了Flash在線編程的匯編工程的文件組織情況。



          2 擦除與寫入子程序編程要點(diǎn)說明

          使用Flash在線編程技術(shù)可以省去外接EEPROM,不僅簡化了電路設(shè)計,也提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。但是Flash在線編程的技術(shù)文獻(xiàn)資料比較少,特別是實(shí)用程序目前還較少見到,涉及Flash在線編程的技術(shù)細(xì)節(jié)應(yīng)仔細(xì)斟酌。由于擦除與寫入子程序是復(fù)制到RAM中執(zhí)行,我們給出的兩個子程序已經(jīng)包含了復(fù)制并轉(zhuǎn)入RAM執(zhí)行的程序過程,正是由于這個特殊的過程,根據(jù)實(shí)際編程調(diào)試與項(xiàng)目開發(fā)過程中積累的經(jīng)驗(yàn),提出以下注意點(diǎn),供讀者參考:

          ①RAM中要留有足夠的緩沖區(qū),以便存放復(fù)制到RAM中的子程序,具體值是取擦除與寫入子程序中的大者即可。它們的大小可在編譯后的.LST文件中查得。

          ②擦除及寫入子程序中要調(diào)用的延時子程序均隨其后,以便同時復(fù)制到RAM中,最后一個標(biāo)號是為復(fù)制方便而加入,否則復(fù)制時要用其它方法得到結(jié)束地址,編程變得不規(guī)范。

          ③擦除及寫入子程序中對延時子程序的調(diào)用必須使用“BSR 子程序名”,而不能使用 “JSR 子程序名”,因?yàn)檫@里的子程序是復(fù)制到RAM中執(zhí)行的,程序地址已經(jīng)發(fā)生了變化,所以只能用相對調(diào)用。

          ④擦除子程序與寫入子程序及其中的延時子程序,若含有跳轉(zhuǎn)語句,不能使用“JMP 地址”,只能使用“BRA 地址”。原因同上。


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