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          大容量NAND FALSH的原理及應(yīng)用

          作者: 時間:2018-07-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          1. 引言

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201807/383930.htm

          NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅(qū)動方法。

          2. VDNF2T16VP193EE4V25簡介

          歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH,其內(nèi)部由8片基片拓?fù)涠?,其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下:

          圖1 VD1D8G08VS66EE8T7B拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

          其主要特性如下:

          總?cè)萘?Tb;

          位寬:16位;

          SLC;

          兼容ONFI2.2;

          封裝:PGA193;

          電源:+3.3V(VCC)、+1.8V(VCCQ)。

          3. VDNF2T16VP193EE4V25的控制器設(shè)計

          大容量NAND FLASH控制器設(shè)計包括一個IP核設(shè)計。其基于NIOS II 的AVALON總線。AVALON總線能兼容大部分存儲器接口,IP核將AVALON總線時序轉(zhuǎn)接至NAND FLASH,從而對NAND FLASH進(jìn)行讀寫操作。

          IP邏輯主要有片選信號產(chǎn)生、ALE、CLE、RE、WE等控制信號的轉(zhuǎn)接。其中RE、WE信號可采用AVALON總線的RE、WE信號;CLE、ALE采用總線地址的低2位進(jìn)行控制;片選數(shù)量較多可依據(jù)AVALON總線的byteen信號進(jìn)行譯碼產(chǎn)生。

          圖2 控制器功能框圖

          //寫信號

          assign nand_wr_n = {avalon_wr_n,avalon_wr_n,avalon_wr_n,avalon_wr_n};

          //讀信號

          assign nand_rd_n = {avalon_rd_n,avalon_rd_n,avalon_rd_n,avalon_rd_n};

          //ALE信號,采用地址0

          assign nand_ale = {avalon_add[0],avalon_add[0]};

          //CLE信號,采用地址1

          assign nand_cle = {avalon_add[1],avalon_add[1]};

          //片選信號

          assign nand_cs_n[0] = temcs[0]|avalon_byteen_n[0];

          assign nand_cs_n[1] = temcs[0]|avalon_byteen_n[1];

          ……

          IP核設(shè)計完成后采用QSYS進(jìn)行硬件平臺搭建,QSYS系統(tǒng)軟核對外引出信號有EPCS、UART、NAND FLASH接口,在Quartus II建立原理圖塊進(jìn)行編譯產(chǎn)生硬件信息。

          采用Nios II Software Build Tools for Eclipse 對QSYS進(jìn)行軟件編程可實現(xiàn)對NAND FLASH的驅(qū)動。

          //NAND FLASH數(shù)據(jù)寄存器地址定義

          #define NandFlashDataReg0 (VDNF2T16_V1_0_BASE)

          //NAND FLASH ALE寄存器地址定義

          #define NandFlashAddReg0 (VDNF2T16_V1_0_BASE+4)

          //NAND FLASH CLE寄存器地址定義

          #define NandFlashCmdReg0 (VDNF2T16_V1_0_BASE+8)

          ……

          以下為讀取ID及壞塊的信息:

          ******************************************************************

          The cs=0 NAND_FLASH's ID is Right ,The ID is=0x2c881a7a9000

          ***********************************************************************

          This cs=0 FLASH's Bank=0 have 5 BadBlocks:

          The num=0 Bank LUN1's num=90 is BadBlock.

          The num=0 Bank LUN1's num=91 is BadBlock.

          The num=0 Bank LUN1's num=1738 is BadBlock.

          The num=0 Bank LUN2's num=90 is BadBlock.

          The num=0 Bank LUN2's num=91 is BadBlock.

          The Number of Bank's Valid Block is Right.

          ……

          4. 結(jié)論

          本文闡述了一種通過FPGA實現(xiàn)對歐比特公司的大容量NAND FLASH芯片VDNF2T16VP193EE4V25的操作方法。設(shè)計中采用ALTERA公司FPGA芯片,利用自建IP搭建硬件平臺實現(xiàn)NAND FLASH的驅(qū)動。該設(shè)計也可移植到其他FPGA上,可以很好地應(yīng)用在各嵌入式電子系統(tǒng)中。



          關(guān)鍵詞: NANDFALSH 單片機(jī)原理

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