歡迎回到DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表博客系列。在本系列最后一期文章中，我將討論DC/DC穩(wěn)壓器元件的傳導(dǎo)損耗。

傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC轉(zhuǎn)換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)集成上橋臂MOSFET打開(kāi)后，負(fù)載電流就會(huì)從其中通過(guò)。漏-源通道電阻(RDSON)產(chǎn)生的功率耗散可以用公式1表示：

其中D = = 占空比

對(duì)于LM2673這樣的非同步設(shè)備，在集成MOSFET關(guān)閉時(shí)，二極管被正向偏置。在此期間，電感電流通過(guò)輸出電容器、負(fù)載和正向偏置二極管降低。負(fù)載電流流過(guò)二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示：

其中VF是選定二極管的正向電壓降。

除了集成MOSFET與鉗位二極管中的傳導(dǎo)損耗，電感器中也有傳導(dǎo)損耗，因?yàn)槊恳粋€(gè)電感器都有有限的直流電阻(DCR)，即線(xiàn)圈中導(dǎo)線(xiàn)的電阻。公式3表示電感器中的功率耗散：

傳導(dǎo)損耗取決于負(fù)載電流。負(fù)載增大時(shí)，MOSFET中的傳導(dǎo)損耗會(huì)增加，而且是主要損耗因素。傳導(dǎo)損耗及開(kāi)關(guān)、驅(qū)動(dòng)和內(nèi)部低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器(LDO)的損耗會(huì)產(chǎn)生很多的熱量，增加集成電路(IC)的結(jié)溫。增加的結(jié)溫可以用公式4表示：

其中ICTj是IC的結(jié)溫，TA是環(huán)境溫度，θJA是IC到空氣的熱阻，ICPd是IC中總功率耗散。