根據(jù)IC Insights 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018年，中國(guó)集成電路自給率僅為15.35%，核心芯片自給率更低?！靶就础敝?，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的機(jī)會(huì)在哪里？這是一個(gè)值得深度思考的問題。

　　在4月26日由新材料在線?主辦的“2019中國(guó)新材料資本技術(shù)春季峰會(huì)”上，沃衍資本合伙人金鼎給出了回答：IC封測(cè)將成為突破口。

　　金鼎，沃衍資本合伙人，新加坡國(guó)立大學(xué)材料科學(xué)與工程博士。歷任飛利浦集團(tuán)全球戰(zhàn)略與業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)、全球創(chuàng)新支持總監(jiān)，Lam Research多個(gè)研發(fā)管理崗位。在世界500強(qiáng)企業(yè)和頂級(jí)研究所，近二十年廣泛從事戰(zhàn)略、商業(yè)發(fā)展、創(chuàng)新管理、大型項(xiàng)目管理等全球性管理職位。以“價(jià)值”為驅(qū)動(dòng)力，不斷地為企業(yè)拓展新業(yè)務(wù)領(lǐng)域，成功地建設(shè)區(qū)域和全球的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。2018年年初加入沃衍資本擔(dān)任合伙人，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體等相關(guān)領(lǐng)域投資。

　　從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，主要有三個(gè)核心環(huán)節(jié)：IC設(shè)計(jì)、IC制造和IC封裝。其中，設(shè)計(jì)端的支撐產(chǎn)業(yè)有計(jì)算機(jī)輔助模擬（EDA）和知識(shí)產(chǎn)權(quán)供應(yīng)商（IP），制造端的支撐輔助產(chǎn)業(yè)有設(shè)備和材料。

　　從IC設(shè)計(jì)方面來(lái)看，盡管2011年-2017年，我國(guó)設(shè)計(jì)公司的數(shù)量已經(jīng)增長(zhǎng)了一倍，特別是2018年，增加了380多個(gè)，但整體實(shí)力普遍都不高。

　　“關(guān)于EDA方面，如果我們以2017年的數(shù)據(jù)來(lái)看，四家公司已經(jīng)占到全球占有量的70%以上。所以在輔助性的供應(yīng)鏈上中國(guó)沒有任何競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)?！苯鸲χ赋?，一方面，盡管我們有60%的終端芯片應(yīng)用市場(chǎng)，但上推到制造、設(shè)備材料、工藝我們的比重就越來(lái)越小?？偠灾?，我們?cè)诎雽?dǎo)體材料整個(gè)的能力還是非常弱。

　　再看IC制造，也是任重而道遠(yuǎn)，在高端設(shè)備和關(guān)鍵材料上依然受制于人?！皩?shí)際上，我們真正可以自己制造的設(shè)備是非常少的，材料就更加難看了。比如光罩材料，我們發(fā)展了20年，但是實(shí)際上真正可以用在尖端的14納米以下的，沒有幾家?！?/p>

　　金鼎總結(jié)稱，中國(guó)半導(dǎo)體的機(jī)會(huì)在于：應(yīng)用倒逼設(shè)計(jì)，檢測(cè)突破為先，加碼未來(lái)材料。

　　下游應(yīng)用來(lái)看，未來(lái)幾年半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)力主要有新能源汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng)、半導(dǎo)體進(jìn)口替代及顯示和氣候變化承諾與環(huán)保壓力雙重推動(dòng)等。

　　質(zhì)量是“中國(guó)制造”的瓶頸，半導(dǎo)體制造質(zhì)量的提升依賴檢測(cè)。金鼎表示，在IC封測(cè)中，特別是隨著封測(cè)市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，我們可以借力后道封測(cè)市場(chǎng)上客戶對(duì)自主可控的需求，讓檢測(cè)上有實(shí)力的公司突圍，從而建立起一些“超強(qiáng)”的公司。

　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2017年全球ATE檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約50億美金，中國(guó)8~10億美金，2025年中國(guó)封測(cè)產(chǎn)值有望從20%增加到45%。

　　在加碼未來(lái)材料方面，金鼎特別強(qiáng)調(diào)“化合物半導(dǎo)體”或者是‘第三代半導(dǎo)體’，以GaN 和SiC 為代表的化合物半導(dǎo)體有很多物理方面的優(yōu)勢(shì)。以碳化硅為例，當(dāng)前階段，其器件成本比傳統(tǒng)的硅高五倍，系統(tǒng)成本略高20%。如果以耐高溫性導(dǎo)致的冷卻系數(shù)要求比較低，加上對(duì)電容電感的減少，能量損失的減少，以及留出更大的空間給電池組，在整個(gè)系統(tǒng)器件上已經(jīng)接近于硅基為基礎(chǔ)的第一代半導(dǎo)體。

　　在未來(lái)三年新材料成本不斷下降，加上器件成本下降，系統(tǒng)總體成本很有可能比傳統(tǒng)硅基成本還要低20%，預(yù)示著碳化硅在電動(dòng)汽車發(fā)展當(dāng)中很有可能成為一個(gè)爆破點(diǎn)。