首期年產(chǎn)3000萬顆UV LED芯片,山西中科潞安紫外光電項目投產(chǎn)
近日,山西省半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟授牌儀式、中科潞安半導體技術(shù)研究院落成典禮暨中科潞安深紫外LED項目投產(chǎn)儀式在中科潞安紫外光電科技有限公司舉行。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/201906/401219.htm山西中科潞安紫外光電科技有限公司官微顯示,中科潞安深紫外LED項目分兩期建設(shè),總投資約20億元。其中,一期工程為年產(chǎn)3000萬顆紫外LED芯片項目,投資5.4億元;二期工程為年產(chǎn)2億顆紫外LED芯片項目,投資15億元。
中科潞安紫外光電科技有限公司董事長李晉閩表示,該項目于2018年12月完成項目的核心建設(shè),經(jīng)過5個月的調(diào)試運轉(zhuǎn)和工藝驗證,項目產(chǎn)線設(shè)備狀態(tài)和生產(chǎn)能力穩(wěn)健提升和完善,并于2019年5月30日正式投產(chǎn)。
此外,李晉閩還表示,未來隨著設(shè)計的年產(chǎn)3000萬顆深紫外LED的產(chǎn)能逐步釋放至滿產(chǎn),將啟動更大規(guī)模的億顆深紫外LED芯片的二期建設(shè),逐步規(guī)劃對接資本市場。
會上,由中科潞安紫外光電科技有限公司、中科潞安半導體技術(shù)研究院等半導體相關(guān)“產(chǎn)學研用”單位組建的山西省半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟正式揭牌,中科潞安半導體技術(shù)研究院也正式落成。
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