圖：芯片制造商SK Hynix制造的移動(dòng)存儲(chǔ)芯片

網(wǎng)易科技訊 7月11日消息，據(jù)外媒報(bào)道，業(yè)內(nèi)分析師表示，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商三星和SK Hynix股價(jià)周三有所上漲，原因是投資者押注日本限制向韓國(guó)出口關(guān)鍵高科技材料會(huì)引發(fā)“副作用”，韓國(guó)芯片制造商可能借機(jī)減少產(chǎn)量，并削減庫(kù)存。
        三星和SK Hynix是受日本出口限制影響最大的公司。不過(guò)，雖然限制措施將在短期內(nèi)使韓國(guó)芯片巨頭難以找到替代材料供應(yīng)，但這也可能促使他們減少庫(kù)存和產(chǎn)量，這對(duì)提振芯片價(jià)格來(lái)說(shuō)是個(gè)好消息。
    韓國(guó)一家主要芯片制造商的內(nèi)部消息人士表示：“鑒于日本對(duì)我們采取的報(bào)復(fù)行動(dòng)，這可能是個(gè)機(jī)會(huì)，讓我們清理那些在存儲(chǔ)器中存放時(shí)間更長(zhǎng)的芯片，并利用這個(gè)機(jī)會(huì)防止庫(kù)存堆積?！?br/>    三星股價(jià)周三上漲1.9%，SK Hynix股價(jià)上漲4.6%，而大盤(pán)指數(shù)僅上漲0.6%。
    韓國(guó)媒體援引一位未具名行業(yè)消息人士的話稱，三星和SK Hynix最早在本月就會(huì)考慮減少NAND閃存的產(chǎn)量。不過(guò)，這兩家公司都否認(rèn)了上述報(bào)道，且沒(méi)有提供進(jìn)一步的評(píng)論。
    NAND閃存芯片價(jià)格在過(guò)去一年里大幅下跌，因?yàn)楫a(chǎn)量增長(zhǎng)快于需求。NAND芯片存在于移動(dòng)設(shè)備以及存儲(chǔ)卡、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器中。
    韓國(guó)半導(dǎo)體與顯示技術(shù)協(xié)會(huì)會(huì)長(zhǎng)樸智健(Park Jea-guan)表示：“我們的芯片制造商正在努力將日本行動(dòng)的影響降至最低，但另一方面，這可能也是我們降低三個(gè)月庫(kù)存的好時(shí)機(jī)?！?br/>日本上周表示，將限制向韓國(guó)出口用于生產(chǎn)半導(dǎo)體和智能手機(jī)屏幕的三種材料——光刻膠、氟化氫和聚酰亞胺。為此，三星與SK Hynix正尋求從其他地區(qū)購(gòu)買(mǎi)更多這種材料。