全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向包括xEV在內的動力傳動系統等車載系統，開發(fā)出200V耐壓的超低I_R^※1肖特基勢壘二極管^※2（以下簡稱SBD）RBxx8BM200和RBxx8NS200。

RBxx8BM/NS200是RBxx8系列的新產品，該系列產品是可在高溫環(huán)境下工作的超低I_R SBD，已經在日本國內的汽車市場取得非常優(yōu)異的業(yè)績。此次，利用其超低I_R特性，實現了高達200V的耐壓，可替換以往在汽車中普遍使用的整流二極管^※3和快速恢復二極管^※4（以下簡稱FRD），因此可顯著改善V_F^※5特性（比以往FRD低約11％）。不僅有助于進一步降低應用的功耗，還可因發(fā)熱量降低而實現小型封裝設計，從而進一步節(jié)省空間。

本產品已于2019年7月份開始出售樣品（樣品價格250日元／個，不含稅），預計將于2019年9月開始以月產100萬個的規(guī)模投入量產。前期工序的生產基地為ROHM Wako Co., Ltd.（日本岡山），后期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）和ROHM Korea Corporation（韓國）。

＜開發(fā)背景＞

ROHM已實現可在車載的高溫環(huán)境下使用的耐壓達150V的超低I_R SBD RBxx8系列的量產，并已獲得高度好評。近年來，在48V輕度混合動力等驅動系統中，將電機和外圍部件集成于1個模塊的“機電一體化”已成為趨勢技術，能夠在高溫環(huán)境下工作的高耐壓、高效率SBD的需求日益高漲。而另一方面，在以往使用150V產品的系統中，高性能化和高可靠性要求越來越嚴格，因此要求SBD要具有更高的耐壓性能。

在這種背景下，ROHM在RBxx8系列的產品陣容中新增加了200V耐壓的產品。未來，羅姆將進一步擴充產品陣容，為車載和工業(yè)設備等廣泛的應用領域進一步降低功耗、節(jié)省空間貢獻力量。

＜特點＞

在高溫環(huán)境下使用的車載和電源設備的電路，希望將以往的整流二極管和FRD替換為效率性能更優(yōu)異的SBD。然而另一方面，SBD存在的問題是隨著工作環(huán)境溫度上升，I_R特性會惡化，容易引發(fā)熱失控，因此對于高效率且在高溫環(huán)境下也可安全使用的產品開發(fā)需求越來越強烈。

RBxx8系列采用非常適用于高溫環(huán)境的阻擋金屬，大大改善了在車載和電源設備的電路中使用SBD時的最大課題--I_R特性，成功打造了在車載和工業(yè)設備等高溫環(huán)境下也可安全使用、無需擔心熱失控的SBD系列產品。

1.替換FRD，有助于進一步降低應用的功耗

擁有超低I_R特性，可實現高達200V的耐壓，從而可將以往在需要200V耐壓的車載系統中使用的FRD替換為SBD。RBxx8BM/NS200與FRD產品相比，V_F特性可降低約11％，有助于應用的低功耗化。

2.發(fā)熱量減少，可小型封裝設計，有助于應用進一步節(jié)省空間

更低V_F可抑制發(fā)熱量，因此與以往產品相比，可實現同一尺寸小型封裝設計。

目前，中等功率封裝品也在開發(fā)中，未來，曾經使用的5.9×6.9mm尺寸FRD產品將能夠被替換為2.5×4.7mm的小型封裝產品，安裝面積可削減71%。

＜產品陣容＞

此次新增加的200V產品包括8款機型，至此，RBxx8系列的產品陣容已多達212款機型。

＜應用＞

動力傳動系統等車載系統（xEV等）、工業(yè)設備逆變器、各種電源設備等。

＜術語解說＞

※1）I_R（Reverse Current）

施加反向電壓時產生的反向電流。值越小功耗越低。

※2）肖特基勢壘二極管（Schottky-Barrier Diode：SBD）

具有“正向電壓降較小、開關速度快”特點的二極管。主要用于開關電源等。

※3）整流二極管（Rectifier Diode）

具有從交流轉換為直流功能的二極管。

※4）快速恢復二極管（Fast Recovery Diode： FRD）

將施加的正向電壓切換為反向電壓時，瞬間流過的反向電流達到零的時間（即反向恢復時間）很短的二極管。

※5）V_F （Forward Voltage）

流過正向電流時二極管產生的電壓值。值越小功耗越低。