據(jù)外媒報(bào)道，英國(guó)卡迪夫大學(xué)（Cardiff University）的研究人員首次發(fā)現(xiàn)，一種普通半導(dǎo)體材料的表面具有以前從未被發(fā)現(xiàn)的“不穩(wěn)定性”。該發(fā)現(xiàn)可能對(duì)為日常生活提供能量的電子設(shè)備材料的未來(lái)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。從智能手機(jī)、GPS到衛(wèi)星和筆記本電腦，復(fù)合半導(dǎo)體是此類電子設(shè)備不可或缺的一部分。

該項(xiàng)新發(fā)現(xiàn)揭示了一種常用的復(fù)合半導(dǎo)體材料 – 砷化鎵（GaA）的表面并不像之前大家認(rèn)為的那么穩(wěn)定。

該團(tuán)隊(duì)利用卡迪夫大學(xué)物理與天文學(xué)院和復(fù)合半導(dǎo)體研究所最先進(jìn)的設(shè)備，發(fā)現(xiàn)砷化鎵的原子結(jié)構(gòu)存在小塊的不穩(wěn)定性，而且此種不穩(wěn)定性一會(huì)出現(xiàn)，一會(huì)消失。這是首次在砷化鎵表面觀察到此種“亞穩(wěn)態(tài)”現(xiàn)象。

該研究的合著者 – 卡迪夫大學(xué)物理與天文學(xué)院的Juan Pereiro Viterbo博士表示：“目前，我們還不知道是否此種現(xiàn)象會(huì)影響半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)，下一步我們會(huì)進(jìn)行研究。如果此種現(xiàn)象發(fā)生在半導(dǎo)體器件的生長(zhǎng)過(guò)程中，則會(huì)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。最終，此發(fā)現(xiàn)可以幫助我們更好地了解分子結(jié)構(gòu)上發(fā)生的情況，從而能夠研發(fā)新型材料和結(jié)構(gòu)，減少現(xiàn)有復(fù)合半導(dǎo)體的缺陷，為通信系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)、電話、汽車等研發(fā)更好的電子產(chǎn)品?！?/p>

此次發(fā)現(xiàn)的關(guān)鍵是可能會(huì)創(chuàng)造出新設(shè)備，而此種設(shè)備將具備此前不存在的新能力。

物理與天文學(xué)院和復(fù)合半導(dǎo)體研究所的實(shí)驗(yàn)室有一個(gè)低能電子顯微鏡，結(jié)合使用分子束外延機(jī)，研究人員能夠在制造復(fù)合半導(dǎo)體的時(shí)候，觀察到材料結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)變化。分子束外延是一種用于制造或“生長(zhǎng)”復(fù)合半導(dǎo)體器件的技術(shù)，其工作原理是在襯底上精確發(fā)射極熱原子束或分子束。此類分子落在襯底的表面，凝聚，然后緩慢而系統(tǒng)地積累成超薄層，最終形成復(fù)雜的單晶結(jié)構(gòu)。

Viterbo博士表示：“盡管砷化鎵已被深入研究，在生長(zhǎng)過(guò)程中采用低能電子顯微鏡卻可以觀察到以前從未觀察到的動(dòng)態(tài)情況?！?/p>