東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。

MOSFET產(chǎn)品圖

新產(chǎn)品是東芝首款^[1]采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設(shè)備功耗；XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的^[2]低導通電阻。

應用

汽車設(shè)備：電源裝置（DC-DC轉(zhuǎn)換器）和LED頭燈等（電機驅(qū)動、開關(guān)穩(wěn)壓器和負載開關(guān)）

特性

東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance（WF）封裝。

通過AEC-Q101認證。

低導通電阻：

●R_DS(ON)=4.1m?（最大值）@V_GS=10V（XPH4R10ANB）

●R_DS(ON)=6.3m?（最大值）@V_GS=10V（XPH6R30ANB）

采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance（WF）封裝。

主要規(guī)格

（除非另有說明，@Ta=25°C）

注釋

^[1]截至2019年12月25日。

^[2]在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中，截至2019年12月25日。東芝調(diào)查。